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MOSFET栅极-源极的下拉电阻有什么作用?
MOSFET栅极-源极的下拉电阻有什么作用?米勒电容:在栅极(G)和漏极(D)之间的一个寄生电容。当MOSFET关断时,米勒电容的存在,会使MOS管的Vds产生一个电压从接近0(饱和
2024-01-30
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你不知道的五种MOS管泄漏电流以及产生原因
本文介绍了五种MOS管在实际应用中存在的漏电流:反偏结泄漏电流、栅极致漏极泄漏电流、栅极直接隧穿电流、亚阈值泄漏电流和隧穿栅极氧化层漏电流。这些漏电流会影响低功耗
2024-01-30
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IGBT的正负电压控制,以及0V的关断过程
IGBT在栅极和发射极之间加入正电压就可以进行导通。不过,这个正电压至少需要高于阈值电压。如果栅极和发射极之间的电压低于阈值电压,IGBT则将关闭或者处于截止状态。由于
2024-01-23
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如何使用MOS管来实现分立式逻辑门?
早期时候的工艺仅仅支持NMOS来实现逻辑功能。如今采用NMOS+PMOS,是因为MOS管的占据面积远远小于电阻的面积,并且具有更高的放大倍数。1.例如下面这个比较典型的非门电路:
2024-01-23
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常常被忽略的耗尽型功率MOSFET,真的一无是处吗?
之前VBsemi发表过一篇《为什么开关电源几乎选增强型NMOS作为开关?》提到了实际应用中我们经常使用的是增强型的MOSFET。那常常被忽略的耗尽型呢?就没有其它作用了吗?我们
2024-01-19
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讲完PMOS,这次来看看NMOS的防反保护电路有什么不同?
讲完PMOS,这次来看看NMOS的防反保护电路有什么不同?简单的栅极驱动电路设计,我们会使用NMOS来作防反电路,原因是成本较低。PMOS一般会放置在电路的高边,NMOS则是在低边
2024-01-18
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分享一个PMOS防反接保护电路设计
传统的防反保护电路,一般采用的都是PMOS管。将PMOS的G极接电阻到地(GND),当输入端连接正向电压时,电流流过PMOS的体二极管到负载端。如果正向电压超过PMOS的门限阈值,
2024-01-17
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宽禁带半导体:聊聊碳化硅(大量干货!)
有网友让微碧来聊聊第三代宽禁带半导体。目前第三代半导体主要是:碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO这三种。而碳化硅是近几年关注度较高的半导体器件,它主要应用在工业,
2024-01-15
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你没看过的解释:为什么三极管基极和发射极要并联一个电阻?
对于这个问题,VBsemi小编在网上查询了部分回答,基本都是可以让三极管“可靠截止”“均流”“限流”的回答。今天VBsemi就以上回答再对这个问题深入了解一下。先分享网上热
2024-01-11
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为什么开关电源几乎选择增强型NMOS来作为开关
在实际应用中,开关电源或者控制电路设计中,几乎使用的是使用增强型的N-MOSFET来作为开关,这是为什么呢?-为什么开关管选择MOSFET而并非三极管-为什么几乎选择增强型MOSF
2024-01-11
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