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带不带软启动有什么区别?来看这个MOS管电源开关电路
加入软启动可平缓电源电压上升沿,限制启动时的浪涌电流。通过电容充电时间实现MOS管导通,实现软开启功能。大电容和其他负载都可能引起浪涌电流。摘要由作者通过智能技术
2024-03-27
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发热炸管子?!MOS管发热到底要怎么解决?
一个MOS管最大电流是100a,电池电压96V,开通后刚进入米勒平台时,MOS管发热功率是P=V*I,由于电流达到最大,所有功率都在MOS管上:P=96*100=9600w。此时它的发热功率最大
2024-03-26
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为什么MOS管的栅极要串接电阻?第二个问题太好了!
在开关电路、驱动电路中,MOS管的栅极经常会串联一个电阻,说实话很多伙伴并不喜欢,因为会影响效率,但是不加又很容易振荡,简直又爱又恨。那这个电阻到底有什么用?第一
2024-03-20
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当MOS管出现不完全导通,以及边沿爬坡缓慢会出现什么情况?
正常情况下:当MOS管在开关状态时,开关波形应该会和控制信号电压波形一样标准。但是实际上栅极串联较大的电阻以后,栅极上的充放电电流很小,对电容的充电速度变慢,MOS管
2024-03-19
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安全工作区SOA是什么?有什么作用吗?(MOS管)
安全工作区SOA是什么?(MOS管篇)#热点引擎计划#SOA区指的是MOSFET的安全工作区,英文表示为SafeOperatingArea,是指MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的安全操作范
2024-03-18
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SGT MOSFET:创新的沟槽式功率MOSFET,性能更加稳定
SGT-MOSFET是一种创新的沟槽式功率MOSFET,具有低导通电阻和稳定性能。微碧半导体的VBGL1102MOS管是一款高性能MOS场效应管,为各种功率电子应用提供可靠解决方案。其优越性
2024-03-13
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MOS管的米勒效应真就一无是处了吗?
MOS管米勒效应会延长开关频率,增加功耗,降低稳定性,形成米勒平台。虽无法完全消除,但可通过减少栅极电阻或增加并联电容来减小米勒效应的影响,同时也可利用米勒效应实
2024-03-11
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在PMOS断开的时候,输出电压Vout出现回沟现象
在PMOS断开的时候,输出电压Vout出现回沟现象电路现象:PMOS断开后,输出端Vout电压先降低,后上升,再下降,随即下电波形出现回沟。(由以下电路展开)以上为PMOS开关仿真
2024-03-08
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采用TO263-7L封装的N沟道MOSFET实现更高功率、高效率的驱动发展
采用了TO-263-7L是一种采用先进塑封技术的贴片式封装形式,相较于传统的插件封装方式,它在体积上显得更为紧凑,且在贴片焊接过程中提供了极大的便利性。该封装拥有多个引
2024-03-06
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MOSFET:又又又回南天!从哪里来的静电?
南方潮湿不易产生静电,但MOSFET等器件仍可能受静电影响。静电放电是器件制造和使用的难题,MOSFET是ESD敏感器件,需采取防静电措施。ESD具有随机性,可通过金属容器包装、
2024-03-05
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