大家都知道超级结MOS（SJ MOS），那你知道SJ MOS的两种工艺——Multi-EPI和 Deep-Trench吗？今天我们来深入浅出地分析下SJ MOS的Multi-EPI和 Deep-Trench 两种工艺有何区别。

Multi-EPI和 Deep-Trench 是两种超结MOS工艺。

Multi-EPI：该工艺是开发最早，较为成 熟的工艺。它是基于平面硅生长技术，采用的是多层外延生长技术，通过在硅衬底上，再通 过多次掺杂，热推进，生长多层掺杂不同的外延层，形成多个PN结，从而实现超结MOS的结构。

它有着更高的电压承受能力和更低的导通电阻，相比传统的Super Junction技术，Multi-EPI的SJ技术能够实现更高的电压承受能力和更低的导通电阻，同时还可以降低相应的 生产成本。微碧VBsemi近期也推出该先进技术的SJ MOS产品，其推出的Multi-EPI的Super Junction产品已经广泛应用于电源、照明、电动汽车等领域。

Multi-EPI工艺优点：

由于整个外延过程是基于平整界面生长，在这个过程中，外延位错缺陷会比较少 ，在漏电，高温可靠性，长期可靠性等方面具有很好的优势，产品动态特性能较为优良。

缺点：该制备工艺相对复杂，成本比较高，光刻控制相对困难。

Multi-EPI工艺

Deep-Trench：该工艺是一种比较巧妙的实现超结技术，通过另外一 种相对简单的工艺来 实现超结的一种手段 。它是先通过外延设备生长一层几十u m 的外延层 ，然后通过深槽刻蚀设备刻出深宽比很高的沟槽，再通过外延方式将沟槽填充起来，形成P 柱结 构，等效于Mu lti- EPI的P 柱结构。

优点：由于只需要一次掩刻和填充，工艺简单，成本较低，它可以减少晶体缺陷，从而提高产品的可靠性和稳定性。

缺点：

1.由于硅在深槽过程中，侧边与底部蚀刻形貌很难控制到很平滑；

2. 该工艺深宽比比较大，晶体 外延填充过程中容易导致沟槽底部形成不规则的空洞（Voild ），显微镜都不一定能看得到，造成芯片 在长期高温工作时可靠性下降。

3. 由于界面接近突变结，动态特性相对差一些，在应用过程中相对棘 手一些。

Deep-Trench工艺

从以上的讲解中我们可以看出两者存在的一些区别，但两种皆为SJ MOS的工艺，都具备着超结技术的优势。朋友们在选择哪种工艺类型的SJ MOS，微碧给大家整理了一个表格给大家更好地了解并保存，可以参考以下对比，供自己的需求做更好的选择：

两者的区别

此外，超结MOS片结构比传统MOS相比，增加了超结技术，有着许多的优势，但也存在一定缺陷。

相比传统的MOS产品，SJ MOS优势:

1.相比传统MOS,它的RDS(ON)会更小，Vth更低，因此具有更低的导通电阻和更好的导通特性；

2.漏电流更小，因此具有更低的功耗和更高的效率；

同样，SJ MOS也会出现一定的缺陷问题，它表现在抗浪涌能力比较低的情况上面。因此，在使用超结MOS时，需要特别注意其抗浪涌能力，特别是户外产品，需要设计好浪涌保护电路。

微碧VBSEMI近期推出了两种工艺的SJ MOS产品，适用于多种应用领域。两种工艺技术都有提高器件的电流密度和击穿电压的优势，与优良的器件性能。VBsemi的SJ MOS产品优势和应用分析如下：

1. 低导通电阻：SJ MOS的导通电阻很低，可以减少功率损耗，提高效率。

2.较低的结电容：由于芯片结构的改变，超结MOS的结电容比传统MOS有很大的降低，较低的输出结电容能改善MOS开关损耗。

3.较小的栅电荷：在电源设计中，由于传统MOS栅电荷相较大，对IC的驱动能力要求较高，若IC驱动能力不足会造成温升等问题。

4.减小封装体积：在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积比传统MOS更小更具备空间优势。

SJ MOS主要应用于电源管理、电机驱动、照明、通信等领域。

微碧VBsmei 工艺Deep-Trench SJ MOSFET

微碧VBsmei 工艺Multi-EPI SJ MOSFET产

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