PMV88ENEAR-VB - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

PMV88ENEAR-VB 是一款为低压功率开关场景深度优化的 Single N-MOS，Trench 工艺兼顾低开关损耗与高可靠性，SOT23-3 封装在散热与占板面积之间取得平衡。60V 耐压、4A 载流能力、75mΩ 导通电阻的组合，使其成为替代传统 DPAK 或 SOP-8 封装器件的理想降本增量选件，尤其适合高密度、大批量应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-N	60V		1.7V	4A		86(mΩ)	75(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOT23-3	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOT23-3	Single-N	60V		1.7V	4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOT23-3	Single-N	60V		1.7V	4A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOT23-3	Single-N							MOS

VDS=60V：适配 12V/24V/48V 系统，留足尖峰电压裕量，降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V：兼容 1.8V~12V 逻辑电平，可直连 MCU/PMIC，省去电平转换电路。
Vth=1.7V（典型）：低压驱动时仍能进入充分导通区，特别适合电池电压衰减场景。
RDS(on)=75mΩ @ VGS=10V（86mΩ @ VGS=4.5V）：较低导通电阻，满载温升可控，可减少散热铜箔面积。
ID=4A：连续电流满足多数辅助负载与驱动级需求，峰值承受能力可靠。
封装 SOT23-3：体积小、寄生参数低，支持高频开关，同时节省 PCB 面积和贴装成本。

领域和模块应用：

便携式设备电源管理：低内阻提升升压/降压效率，延长续航，小封装助力超薄设计。
电池保护模块：快速响应特性确保过流/短路时微秒级关断，中低内阻减少保护板自发热。
低压电机驱动：PWM 开关损耗低，电机运转更平滑，控制器温升明显下降。
消费电子控制模块：逻辑电平直驱简化外围，适合智能插座、USB 开关等大批量低成本产品。
LED 照明驱动：低导通压降减少恒流源功耗，支持多路并联，提升整灯光效。
DC-DC 转换器：同步整流中替代肖特基，轻中载效率优化明显，利于模块小型化。
工业传感器与继电器驱动：60V 耐压裕量应对感性负载尖峰，SOT23-3 节省控制板空间。

选型总结：PMV88ENEAR-VB 在性能余量、封装尺寸和系统成本间实现均衡，是 60V 低压开关类应用的高性价比通用选择，特别适合对空间和热耗有严格要求的项目。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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