SSM3J332R-VB - VBsemi MOS管制造商

SSM3J332R-VB 产品详细

SSM3J332R-VB 是小身材、大电流的 P 沟道 MOS 管，SOT23-3 封装，-30V 耐压，-5.6A 载流能力。Trench 工艺加持，内阻低至 46mΩ，发热小、效率高。门极驱动灵活，±20V 宽范围，适配多数低压控制场景。

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V		-1.7V	-5.6A		54(mΩ)	46(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOT23-3	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V		-1.7V	-5.6A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V		-1.7V	-5.6A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOT23-3	Single-P							MOS

产品参数
耐压：-30V
驱动电压：±20V
开启阈值：-1.7V
导通电阻（10V 驱动）：46 mΩ
最大电流：-5.6A
封装：SOT23-3

便携设备供电切换 → 负载开关更省电
电池充放保护 → 安全切断，延长电池寿命
小风扇、玩具电机 → 调速灵活，响应快
智能插座、USB 开关 → 通断干脆，不发热
LED 灯带调光 → 亮度均匀，省电节能
DC-DC 模块 → 同步整流，效率更优
车载辅助电源 → 抗震动，耐温好，可靠供电

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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