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BST82-VB 产品详细

产品简介:

BST82-VB 是一款为高压小电流开关场景深度优化的 Single N-MOS,Trench 工艺兼顾低导通损耗与高可靠性,SOT23-3 封装在散热与占板面积之间取得平衡。100V 耐压、0.26A 载流能力、2.8Ω 导通电阻的组合,使其成为替代传统 DPAK 或 SOP-8 封装器件的理想降本增量选件,尤其适合高密度、大批量应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 1.5V 0.26A 3000(mΩ) 2800(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOT23-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 1.5V 0.26A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 1.5V 0.26A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOT23-3 Single-N MOS

VDS=100V:适配 24V/48V/60V 系统,留足尖峰电压裕量,降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V:兼容 3.3V~12V 逻辑电平,可直连 MCU/PMIC,省去电平转换电路。
Vth=1.5V(典型):低压驱动时仍能进入充分导通区,特别适合电池电压衰减场景。
RDS(on)=2.8Ω @ VGS=10V:导通电阻优化,在高压小电流应用中有效降低静态损耗,温升可控。
ID=0.26A:连续电流能力匹配信号调理、辅助供电及高压检测等典型负载需求。
封装 SOT23-3:体积小、寄生参数低,支持高频开关,同时节省 PCB 面积和贴装成本。

领域和模块应用:


高压辅助电源:为控制 IC 提供启动供电或线性稳压前端,耐压余量充足,安全可靠。
电池管理采样电路:用于高压侧电压检测与电平转换,低漏电流特性提升采样精度。
LED 照明辅助驱动:小电流恒流控制、泄放电路等场景,SOT23-3 封装便于紧凑布局。
工业传感器接口:适配 24V 总线信号调理,耐受浪涌尖峰,简化外围保护设计。
AC-DC 启动电路:替代高压启动电阻或三极管,实现低功耗快速启动,提升转换效率。
通信模块电源管理:用于低压差稳压器预降压或使能开关,静态损耗低,延长待机时间。
继电器/接触器线圈驱动:配合钳位电路实现小电流咬合保持,降低线圈持续功耗。

选型总结:BST82-VB 在耐压等级、导通电阻和封装尺寸之间实现良好平衡,是 100V 高压小电流开关类应用的高性价比通用选择,特别适合对空间和功耗有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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