SI2343DS-T1-E3-VB - VBsemi MOS管制造商

SI2343DS-T1-E3-VB 产品详细

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产品简介：

还在为负压电源管理发热大、占板面积发愁？VBsemi SI2343DS-T1-E3-VB 来解忧！这颗 SOT23-3 封装的 P-MOS 管，虽仅米粒大小，却能承载 -5.6A 连续电流，导通内阻低至 46mΩ，发热控制出色。Trench 工艺让开关速度与损耗表现俱佳，-30V 耐压轻松覆盖常见负压与负载开关应用，是电源工程师的“负压利器”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V		-1.7V	-5.6A		54(mΩ)	46(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOT23-3	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V		-1.7V	-5.6A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V		-1.7V	-5.6A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOT23-3	Single-P							MOS

耐压等级：-30V（留足余量，安全可靠）
驱动范围：±20V（兼容 3.3V/5V/12V 驱动）
开启门槛：-1.7V（低压逻辑直驱无压力）
超低内阻：54mΩ @ 4.5V，46mΩ @ 10V（传导损耗极低）
大电流能力：-5.6A（小封装大能量）
封装：SOT23-3（适合高密度贴装）
技术：Trench（开关快、损耗低）

领域和模块应用：

—— 七大热门场景，一颗搞定
负压电源管理：为运算放大器、传感器提供稳定负压轨
电池保护：瞬间切断反向故障电流，守护电芯安全寿命
负载开关：便携设备电源域控制，待机功耗更低
DC-DC 转换：同步整流降压/升压方案，助力模块小型化
电机驱动：风扇、玩具马达，调速顺滑无噪音
LED 照明：灯带恒流驱动，亮度稳定，无频闪
车载辅助电路：抗振动、宽温域，为车机系统提供坚实后盾

SI2343DS-T1-E3-VB —— 小封装，大作为，让您的负压与电源设计更从容！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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