DMPH6050SFG-7-VB - VBsemi MOS管制造商

DMPH6050SFG-7-VB 产品详细

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产品简介：

您正在设计一款高功率密度的BMS保护板或电机驱动模块，需要一颗既能承受高压大电流、又具备极低导通损耗的P沟道MOSFET。普通器件要么耐压不足，要么封装过大，散热堪忧。VBsemi DMPH6050SFG-7-VB 正是为此而生——它将 -60V 耐压、-36A 载流能力和低至 21mΩ 的导通电阻，集成在 DFN8(3X3) 的紧凑封装中，让高可靠性电源与电机控制设计更加从容。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-60V		-1.7V	-36A		28.8(mΩ)	21(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-60V		-1.7V	-36A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-60V		-1.7V	-36A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-P

- 耐压 -60V，满足工业及车载总线电压要求，留足安全裕量
- 门极驱动范围 ±20V，兼容宽范围逻辑电平驱动
- 阈值电压 -1.7V，低压控制信号即可可靠开启
- 导通电阻 28.8mΩ（4.5V 驱动）/ 21mΩ（10V 驱动），通流损耗低，发热小
- 最大电流 -36A，小封装也能输出强劲功率
- 采用 Trench 沟槽工艺，开关性能优异，雪崩耐受能力强

领域和模块应用：

- **电池保护板 / BMS** – 作为主回路开关管，快速切断过流与短路，为电芯提供可靠保护。
- **电源反接保护** – 利用 P 沟道低导通电阻，在负压端实现极低压降的防反接功能，减少系统损耗。
- **DC-DC 降压模块** – 在同步整流或负载开关应用中，低导通电阻显著提升转换效率。
- **电机驱动 / 电动工具** – 承受大电流冲击，PWM 调速平稳，有效降低器件温升。
- **车载电子 / 工业控制** – 耐压和电流裕量充足，适应恶劣电气环境，保障系统长期稳定运行。
- **负载开关 / 智能配电** – 小尺寸 DFN8(3X3) 节省 PCB 面积，适合高密度布局。
**一句话总结：** DMPH6050SFG-7-VB 不是一颗普通的 P 沟道 MOS 管，它是您大功率、高可靠电源系统中的“低压降开关”和“紧凑型功率高手”。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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