SQS136ELNW-T1_GE3-VB - VBsemi MOS管制造商

SQS136ELNW-T1_GE3-VB 产品详细

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您正在设计一款高功率密度的DC-DC转换器，狭小的DFN8(3X3)封装内却要承载40A的电流冲击。普通MOS管要么导通损耗过高，要么热性能捉襟见肘。VBsemi SQS136ELNW-T1_GE3-VB 正是为此而生——它把40V耐压、40A载流能力和低至4.5mΩ的导通电阻，全部集成在DFN8(3X3)的紧凑体积中，让大功率电源设计不再为散热和空间而妥协。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A		6(mΩ)	4.5(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

- 耐压 40V，满足12V/24V系统及各类工业负载的电压需求
- 门极驱动范围 ±20V，兼容多种逻辑电平驱动
- 阈值电压 2.5V，开关特性清晰，抗干扰能力强
- 导通电阻 6mΩ（4.5V驱动）/ 4.5mΩ（10V驱动），全电压区间损耗极低
- 最大电流 40A，在DFN8封装中实现大电流承载能力
- 采用Trench沟槽技术，优值系数（FOM）优异，开关与导通性能兼得

领域和模块应用：

- 大功率DC-DC降压/升压模块 – 作为同步整流或主开关管，显著降低导通损耗，提升满载效率。
- 电动工具/无人机电调 – 40A持续电流能力，配合低内阻特性，从容应对堵转和瞬态大电流冲击。
- 车载电源系统 – 耐受车载12V/24V电压波动，为车灯、传感器及多媒体供电提供可靠功率开关。
- 锂电池保护板 – 在过流或短路时快速断开回路，低导通电阻减少保护板发热，延长电池寿命。
- 服务器电源/通信电源 – 高频开关下依然保持低损耗，适合高功率密度的板载电源架构。
- 电机驱动控制器 – 用于有刷/无刷电机桥式电路，发挥低阻抗与高开关速度优势，提升动态响应。
**一句话总结：SQS136ELNW-T1_GE3-VB 不只是一个小封装MOS管，它是您高功率、紧凑型电源设计的“效率引擎”和“空间大师”。**

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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