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SIHH240N60E-T1-FE3-VB 产品详细

产品简介:

您正在设计一款高功率密度的工业电源或新能源系统,面对 650V 的高压母线,却要求更低的导通损耗和更紧凑的 PCB 布局。普通高压 MOS 管要么导通电阻偏高,要么封装过大,难以兼顾效率与空间。VBsemi SIHH240N60E-T1-FE3-VB 正是为此而生——它采用先进的超级结多外延技术,将 650V 耐压、20A 载流能力和仅 160mΩ 的导通电阻,集成在 DFN8X8 的可靠封装中,让高压大电流设计不再妥协。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A 160(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8X8 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8X8 Single-N
- 耐压 650V,轻松应对高压母线波动,留足安全余量
- 门极驱动范围 ±30V,兼容多种驱动电路,抗过驱动能力强
- 阈值电压 3.5V,配合标准驱动器即可稳定开启
- 导通电阻 160mΩ(10V 驱动时),高压下仍保持低损耗
- 最大电流 20A,DFN8X8 封装也能承载大功率输出
- 超级结多外延技术(SJ_Multi-EPI),优化导通电阻与开关性能的平衡

领域和模块应用:


- **开关电源 / 服务器电源** – 作为高压主开关管,显著降低导通损耗,提升整机效率,适应长时间满载运行。
- **光伏逆变器 / 储能系统** – 利用 650V 耐压与低内阻特性,高效完成 DC-AC 变换,减少散热压力。
- **电动汽车充电桩** – 在高压直流变换模块中承担关键开关角色,保证大电流传输的稳定性和可靠性。
- **工业电机驱动** – 耐受母线电压波动,配合强驱动能力,实现平滑调速与更高的过载裕量。
- **PFC 功率因数校正** – 在升压拓扑中表现优异,降低高频开关损耗,提升功率因数与电能质量。
- **高压 DC-DC 转换器** – 同步整流或硬开关应用中替代传统高压 MOS,提高转换效率,缩小磁性元件体积。
一句话总结:SIHH240N60E-T1-FE3-VB 不是一颗普通的 MOSFET,它是您高压电源设计中兼顾耐压、低阻与功率密度的“核心开关利器”。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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