SIHH186N60EF-T1GE3-VB - VBsemi MOS管制造商

SIHH186N60EF-T1GE3-VB 产品详细

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VBsemi SIHH186N60EF-T1GE3-VB 是一款采用 SJ_Multi-EPI（超结多外延）工艺的 Single N 沟道功率场效应管，专为高压电力转换与高效能电源系统设计。其 DFN8X8 封装具备优异的散热能力与低寄生参数，适合高密度功率板布局。器件在 650V 漏源电压范围内提供稳定的高压开关特性，搭配 160mΩ 的低导通电阻与 20A 连续漏极电流能力，可显著降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，±30V 宽门极驱动范围增强了电路设计的灵活性与可靠性。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8X8	Single-N	650V		3.5V	20A			160(mΩ)	SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8X8	Single-N						SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8X8	Single-N	650V		3.5V	20A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8X8	Single-N	650V		3.5V	20A		SJ_Multi-EPI

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8X8	Single-N

- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 门极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：典型值 3.5V
- 导通电阻（VGS=10V）：160mΩ（典型）
- 最大漏极电流（ID）：20A
- 封装形式：DFN8X8
- 工艺技术：SJ_Multi-EPI（超结多外延）

领域和模块应用：

1. **开关电源（SMPS）**：用于高压 DC-DC 转换器、反激及正激拓扑的主开关管，借助超结结构实现低损耗与高频率运行。
2. **服务器与通信电源**：在高效整流电路中作为 PFC 或 LLC 级功率开关，提升功率密度与转换效率。
3. **光伏逆变器**：适用于分布式光伏系统的 DC-AC 逆变桥臂，承载高母线电压并支持可靠的功率传输。
4. **储能与充电桩**：用于电池充放电控制、充电模块高压侧开关，满足大电流、高耐压及快速关断需求。
5. **工业电机驱动**：驱动高压三相无刷/异步电机，适用于变频器、泵类及压缩机等工业设备，支持 PWM 调速。
6. **不间断电源（UPS）**：作为整流/逆变级功率器件，保障市电异常时的稳定切换与输出，提高系统可靠性。
7. **电动汽车辅助系统**：用于车载 DC-DC 转换器（如高压转低压）及充电接口控制电路，适应车载高压平台。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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