SIR5203DP-T1-UE3-VB - VBsemi MOS管制造商

SIR5203DP-T1-UE3-VB 产品详细

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产品简介：

您正在设计一款高功率密度电源模块，需要在极小的 PCB 面积内承载高达 120A 的电流，同时还要严格控制温升。普通 P 沟道 MOS 管要么导通电阻过大，要么封装散热能力不足。VBsemi SIR5203DP-T1-UE3-VB 正是为此而生——它将 -30V 耐压、-120A 超大载流能力和仅 2.2mΩ 的导通电阻，集成在 DFN8(5X6) 的紧凑封装中，让大电流开关应用不再受制于散热与空间。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-P	-30V		-1.68	-120A			2.2(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-P	-30V		-1.68	-120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-P	-30V		-1.68	-120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-P

- 耐压 -30V，适配低压电源系统中 P 沟道拓扑需求
- 门极驱动范围 ±20V，兼容多种逻辑电平驱动方案
- 阈值电压 -1.68V，易于驱动，控制更灵活
- 导通电阻 2.2mΩ（10V 驱动时），损耗极低，发热大幅降低
- 最大电流 -120A，满足高功率、大电流应用严苛要求
- 采用 Trench 工艺，开关性能优异，导通特性稳定
- DFN8(5X6) 封装，兼顾散热能力与占板面积，适合高密度设计

领域和模块应用：

- 大功率 DC-DC 转换器 – 作为同步整流或负载开关，显著降低通态损耗，提升整体转换效率。
- 电池保护板 / BMS – 利用极低导通电阻和超大电流能力，实现高倍率充放电保护，减少压降和发热。
- 电机驱动模块 – 轻松应对启动浪涌电流，提供平稳的大电流驱动能力，增强系统可靠性。
- 电源路径管理 / 负载开关 – 在服务器、通信设备中精准控制大功率负载通断，并保持低功耗运行。
- 电动工具 / 高功率手持设备 – 耐受持续大电流冲击，延长电池续航与器件寿命。
- 反接保护电路 – 借助 P 沟道特性实现低损耗防反接，替代传统二极管方案，降低压差与功耗。
- 车载电源系统 – 满足 -30V 耐压要求，应对车规级电压瞬态波动，稳定驱动大功率外围设备。
**一句话总结：SIR5203DP-T1-UE3-VB 不是一颗普通的 P 沟道 MOS 管，它是您大电流低压电源设计中的“低耗开关”与“散热利器”。**

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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