SQA403CEJW-T1_GE3-VB - VBsemi MOS管制造商

SQA403CEJW-T1_GE3-VB 产品详细

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VBsemi SQA403CEJW-T1_GE3-VB 是一款采用 Trench 工艺的 Single P 沟道场效应管，专为中低压电源转换与负载控制场景设计。其 DFN6(2X2) 小型封装兼顾低热阻与高密度布线优势，适用于空间受限的便携式与嵌入式系统。器件在 -30V 漏源电压范围内提供稳定开关特性，门极驱动兼容常见 3.3V/5V 逻辑电平，便于系统集成。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN6(2X2)	Single-P	-30V		-1.7V	-10A		20(mΩ)	17(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN6(2X2)	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN6(2X2)	Single-P	-30V		-1.7V	-10A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN6(2X2)	Single-P	-30V		-1.7V	-10A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN6(2X2)	Single-P

漏极-源极电压（VDS）-30V
门极-源极电压（VGS）±20V
阈值电压（Vth）典型值 -1.7V
导通电阻（VGS=4.5V）：20 mΩ（典型）
导通电阻（VGS=10V）：17 mΩ（典型）
最大漏极电流（ID）-10A
封装形式：DFN6(2X2)
工艺技术：Trench

领域和模块应用：

1. 便携式设备电源管理：用于移动电源、手持稳压模块中的负载开关或反接保护，利用低导通电阻降低压降，提升系统效率。
2. 电池保护系统：作为充放电回路的 P 沟道主开关，配合保护 IC 实现过流、过压快速关断，保障电芯安全。
3. 低压电机驱动：驱动小型直流有刷或无刷电机，适用于风扇、泵类及玩具执行器，支持 PWM 调速。
4. 消费电子控制单元：集成于智能插座、USB 通断电路，实现负载接入检测与电源分配。
5. LED 照明恒流驱动：应用于低压灯带或模组驱动，配合恒流控制稳定输出电流，抑制光闪烁。
6. DC-DC 转换器：用于同步整流或高边开关，降低整流损耗，适配 Buck/Boost 小型化设计。
7. 车载辅助电源：在 12V 车载网络中为信息娱乐、传感器等辅助负载提供稳压供电或反向保护。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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