DMP6051SFVW-7-VB - VBsemi MOS管制造商

DMP6051SFVW-7-VB 产品详细

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产品简介：

DMP6051SFVW-7-VB 是一款为中等电压功率开关场景深度优化的 Single P-MOS，Trench 工艺兼顾低开关损耗与高可靠性，DFN8(3X3) 封装在散热与占板面积之间取得平衡。-60V 耐压、-11A 载流能力、60mΩ 导通电阻的组合，使其成为替代传统 SOP-8 或 DPAK 封装器件的理想降本增量选件，尤其适合高密度、大批量应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-60V		-1.6V	-11A		75(mΩ)	60(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-60V		-1.6V	-11A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-P	-60V		-1.6V	-11A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-P

VDS=-60V：适配 12V/24V/48V 系统，留足负压尖峰裕量，降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V：兼容宽范围逻辑电平驱动，可直连 MCU/PMIC，省去电平转换电路。
Vth=-1.6V（典型）：低压驱动时仍能进入充分导通区，特别适合电池电压衰减场景。
RDS(on)=60mΩ @ VGS=-10V（75mΩ @ VGS=-4.5V）：低导通电阻，满载温升显著降低，可减少散热铜箔面积。
ID=-11A：连续电流余量充裕，能应对多数便携、工控及车载辅助负载的峰值需求。
封装 DFN8(3X3)：体积小、寄生参数低，支持高频开关，同时节省 PCB 面积和贴装成本。

领域和模块应用：

负压电源管理：低内阻提升负压升降压效率，小封装助力紧凑型电源设计。
电池保护模块：快速响应特性确保过流/短路时微秒级关断，低内阻减少保护板自发热。
低压电机驱动：PWM 开关损耗低，电机运转更平滑，控制器温升明显下降。
消费电子控制模块：逻辑电平直驱简化外围，适合智能开关、USB 电源管理等大批量低成本产品。
LED 照明驱动：低导通压降减少恒流源功耗，支持多路并联，提升整灯光效。
DC-DC 转换器：同步整流中替代肖特基，重载效率可提升 2~3%，利于模块小型化。
车载辅助电源：耐压余量和宽温工作范围适配 12V/24V 车载总线，可靠度高。选型总结：DMP6051SFVW-7-VB 在性能余量、封装尺寸和系统成本间实现均衡，是 -60V 中低压开关类应用的高性价比通用选择，特别适合对空间和热耗有严格要求的项目。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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