TPN11006PL,LQ-VB - VBsemi MOS管制造商

TPN11006PL,LQ-VB 产品详细

TPN11006PL,LQ-VB 是小身材、大电流的 N 沟道 MOS 管，DFN8(3X3) 封装，60V 耐压，15A 载流能力。Trench 工艺加持，内阻低至 10mΩ，发热小、效率高。门极驱动灵活，±20V 宽范围，适配多数中低压控制场景。

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	60V		2.5V	45A		15(mΩ)	12(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	60V		2.5V	45A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	60V		2.5V	45A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

耐压：60V
驱动电压：±20V
开启阈值：2.5V
导通电阻（4.5V 驱动）：13 mΩ
导通电阻（10V 驱动）：10 mΩ
最大电流：15A
封装：DFN8(3X3)
技术：Trench

DC-DC 转换器 → 同步整流，效率更优
电池充放保护 → 安全切断，延长电池寿命
电机驱动控制 → 调速灵活，响应快
电动工具、功率模块 → 大电流稳定输出
智能插座、电源开关 → 通断干脆，不发热
LED 照明驱动 → 亮度均匀，省电节能
车载辅助电源 → 抗震动，耐温好，可靠供电

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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