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RH6L040CGTB1-VB 产品详细

产品简介:

RH6L040CGTB1-VB 是一款为低压大功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,Trench 工艺兼顾超低导通损耗与高开关可靠性,DFN8(3X3) 封装在散热能力与占板面积之间取得理想平衡。60V 耐压、30A 载流能力、5mΩ 导通电阻的组合,使其成为替代传统 DPAK 或 SOP-8 封装器件的性能升级选件,尤其适合高密度、大电流、高效率应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 3V 30A 5(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N


VDS=60V:适配 12V/24V/48V 系统,留足尖峰电压裕量,显著降低雪崩击穿风险,提升系统鲁棒性。

VGS=±20V:兼容 5V~12V 逻辑电平,可直连 MCU/PMIC/驱动 IC,简化栅极驱动电路设计。

Vth=3V(典型):阈值电压适中,抗干扰能力强,同时保证在 10V 驱动下充分导通,适合工业级 PWM 控制。

RDS(on)=5mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,满载导通损耗极低,大幅降低温升,可缩小散热铜箔面积,提升功率密度。

ID=30A:连续电流能力充裕,能从容应对电机启动、电池放电及 DC-DC 等大电流瞬态冲击。

封装 DFN8(3X3):低寄生电感与热阻,支持高频开关,同时节省 PCB 面积,适合紧凑化、模块化设计。

领域和模块应用:


大功率 DC-DC 转换器:同步整流中替代肖特基二极管,重载效率显著提升,模块体积可进一步缩小。
电机驱动控制:超低导通电阻减少驱动器发热,PWM 开关损耗低,电机运行更平稳,控制器寿命更长。
锂电池保护与管理系统:60V 耐压满足多串电池组需求,低内阻减少保护板自耗电,过流关断响应迅速。
服务器与通信电源:30A 大电流承载能力结合 DFN8 封装,适用于高功率密度电源模块,提升整机效率。
电动工具与园林机械:大电流余量应对堵转/启动峰值,Trench 工艺增强抗冲击能力,适合严苛工况。
车载辅助电源与 LED 驱动:宽裕耐压和低导通压降适配 12V/24V 车载总线,降低系统损耗,支持多路并联。
选型总结:RH6L040CGTB1-VB 在耐压、导通电阻、电流能力和封装热性能之间实现卓越平衡,是 60V 低压大功率开关应用的高性价比优选器件,特别适合对效率、温升和空间有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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