RH6G040CGTB1-VB - VBsemi MOS管制造商

RH6G040CGTB1-VB 产品详细

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产品简介：

还在为大电流低压开关的导通损耗和散热问题头疼？VBsemi RH6G040CGTB1-VB 来支招！这颗 DFN8(3X3) 封装的 N-MOS 管，以紧凑尺寸释放惊人能量——60A 超大电流承载能力，导通内阻低至 2mΩ（@10V），发热量大幅降低，效率表现堪称惊艳。Trench 工艺确保极快开关速度与极低损耗，40V 耐压从容应对各类低压大功率场景，是电源设计、电机驱动与电池保护领域的“性能猛兽”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		3V	60A		3(mΩ)	2(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		3V	60A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		3V	60A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

耐压等级：40V（低电压应用余量充足，安全可靠）
驱动范围：±20V（兼容 3.3V/5V/12V 逻辑驱动，使用灵活）
开启门槛：3V（阈值明确，开关控制稳定可靠）
超低内阻：2mΩ @ 10V，3mΩ @ 4.5V（传导损耗极低，温升更小）
大电流能力：60A（小封装承载大电流，功率密度极高）
封装：DFN8(3X3)（占板面积小，适合高密度功率设计）

领域和模块应用：

六大高功率场景，一芯搞定
电源模块：DC-DC 同步整流、低压大电流转换，效率显著提升
电机驱动：无人机、电动工具、机器人马达，响应迅猛动力强劲
电池保护：动力电池充放电管理，瞬时切断故障电流，守护电芯安全
汽车电子：车载电源、车灯驱动与车身控制，抗振耐高温，稳定可靠
服务器电源：核心供电单元，低阻低损耗，支撑高负载持续输出
功率开关：智能断路器、大功率负载开关，通断干脆利落，压降低RH6G040CGTB1-VB
低阻大流，小封装爆发大能量，让您的功率设计更高效、更从容！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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