PSMN5R8-30LL,115-VB - VBsemi MOS管制造商

PSMN5R8-30LL,115-VB 产品详细

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产品简介：

还在为低压大电流场景的导通损耗和散热空间头疼？VBsemi PSMN5R8-30LL,115-VB 来助力！这颗 DFN8(3X3) 封装的 N-MOS 管，体积紧凑却蕴藏巨大能量，可承载 40A 连续漏极电流，导通内阻低至 5mΩ（10V 驱动），发热表现极为出色。Trench 工艺赋予其超快开关特性和极低损耗，30V 耐压充分满足各类低压电源、电池保护与电机驱动需求，是工程师实现高效率、高功率密度设计的理想选择。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	40A		6(mΩ)	5(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	40A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	30V		1.7V	40A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

耐压等级：30V（余量充足，稳定可靠）
驱动范围：±20V（兼容 3.3V/5V/12V 逻辑驱动）
开启门槛：1.7V（低压控制信号轻松开启）
超低内阻：5mΩ @ 10V，6mΩ @ 4.5V（传导损耗极低）
大电流能力：40A（小封装承载大电流）
封装：DFN8(3X3)（适合高密度贴装，散热性能优异）
技术：Trench（开关快、优值低、效率高）

领域和模块应用：

六大热门场景，一颗搞定
低压 DC-DC 转换：同步整流、负载点电源，效率显著提升
电池保护与管理：高倍率充放电，瞬间切断故障电流，守护电芯安全
电机驱动：电动工具、无人机、机器人马达，调速顺滑响应迅捷
汽车电子：车载充电、车灯控制、辅助电源，抗振耐温表现可靠
服务器与通信电源：大电流配电，低损耗助力模块小型化
快充与电源适配器：高压转低压高效转换，温升更低更稳定PSMN5R8-30LL,115-VB
低阻大电流，小封装大能量，让您的电源设计游刃有余！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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