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SISS92DN-T1-BE3-VB 产品详细

产品简介:

SISS92DN-T1-BE3-VB 是高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用 DFN8(3X3) 小型封装,在有限空间内实现 250V 耐压与 10.3A 连续载流能力。基于 Trench 工艺,导通电阻低至 125mΩ(10V 驱动),有效降低导通损耗,提升系统效率。±20V 宽栅极驱动范围,适配多种控制电路,适合高压转换、电源管理及电机驱动等场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 250V 3.5V 10.3A 125(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 250V 3.5V 10.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 250V 3.5V 10.3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
耐压:250V
驱动电压:±20V
开启阈值:3.5V
导通电阻(10V 驱动):125mΩ
最大电流:10.3A
封装:DFN8(3X3)
技术:Trench

领域和模块应用:


高压 DC-DC 转换器 → 宽压输入,稳定输出,效率出色
工业控制电源 → 耐压高,抗浪涌,可靠供电
电机驱动模块 → 低内阻,大电流,调速流畅
LED 照明电源 → 恒流控制精准,散热性能好
辅助电源与充电器 → 同步整流,损耗小,温升低
电池管理系统 → 高压侧开关,安全切断,保护周全
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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