MCG240N10L-TP-VB - VBsemi MOS管制造商

MCG240N10L-TP-VB 产品详细

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产品简介：

MCG240N10L-TP-VB 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用 DFN8(3X3) 小型封装，100V 耐压，4A 载流能力。基于 Trench 工艺，导通电阻低至 130mΩ（10V 驱动），开关损耗小、发热低。门极驱动范围宽，±20V 栅压设计，适配多种控制电路，尤其适合空间受限的功率转换与负载开关应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	100V		1.8V	4A		150(mΩ)	130(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	100V		1.8V	4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	100V		1.8V	4A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(3X3)	Single-N

- 耐压（VDS）：100V
- 栅极驱动电压（VGS）：±20V
- 开启阈值（Vth）：1.8V
- 导通电阻：150mΩ（4.5V 驱动），130mΩ（10V 驱动）
- 最大漏极电流（ID）：4A
- 封装形式：DFN8(3X3)
- 技术类型：Trench

领域和模块应用：

- DC-DC 转换器 → 高压降压/升压，效率稳定
- 工业控制电源 → 可靠开关，耐压余量充足
- LED 照明驱动 → 恒流控制，调光精准
- 电机驱动模块 → 低损耗，响应迅速
- 电池管理系统 → 充放电保护，安全切断
- 智能家居、小家电 → 通断干脆，节省空间
- 车载辅助电源 → 抗震动，耐高温，长期稳定

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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