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SIHH21N65E-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

SIHH21N65E-T1-GE3-VB 是一款面向高压功率开关场景优化的 Single N-MOS,采用 SJ_Multi-EPI 超结工艺,兼顾低导通损耗与高可靠性。DFN8X8 封装在散热能力与功率密度之间取得良好平衡。650V 耐压、20A 载流能力、160mΩ 导通电阻的组合,使其成为高压电源、工业控制及新能源应用的理想功率开关选件,尤其适合对效率与温升有严格要求的系统设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A 160(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8X8 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8X8 Single-N 650V 3.5V 20A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8X8 Single-N

VDS=650V:适配三相整流、光伏逆变、充电桩等高压母线系统,留足电压尖峰裕量,提升系统抗雪崩能力。
VGS=±30V:宽栅极驱动范围,兼容多种 PWM 控制器与驱动芯片,降低驱动电路设计难度。
Vth=3.5V(典型):阈值电压适中,抗干扰能力强,同时确保高压下稳定的开关特性。
RDS(on)=160mΩ @ VGS=10V:超结工艺实现低导通电阻,满载损耗显著降低,可减少散热器体积。
ID=20A:连续电流余量充裕,能应对电机启动、电容充电等瞬态峰值需求。
封装 DFN8X8:低寄生电感与热阻,支持高频开关,同时适合紧凑型大电流 PCB 布局。

领域和模块应用:


高压 DC-DC 转换器:低导通损耗提升转换效率,超结结构降低开关损耗,适合通信电源与服务器电源。
光伏逆变器:650V 耐压覆盖常用母线电压,低内阻减少功率管温升,提升整机可靠性。
储能与充电桩:大电流能力满足充放电回路需求,抗雪崩特性增强系统在恶劣工况下的鲁棒性。
工业电机驱动:高压宽裕应对母线浪涌,PWM 开关特性优异,助力驱动器小型化与高效化。
UPS 不间断电源:快速开关与低损耗特性适配高频化设计,提高功率密度并降低散热成本。
辅助电源与高压启停电路:耐压余量充足,宽温工作范围适配工业环境,保障长期稳定运行。选型总结:SIHH21N65E-T1-GE3-VB 在高压耐压、载流能力、导通电阻与封装热性能之间实现均衡,是 650V 高压功率开关类应用的高性价比通用选择,特别适合对效率、可靠性和功率密度有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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