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NVMFD5C680NLET1G-VB 产品详细

产品简介:

NVMFD5C680NLET1G-VB 是一款面向 60V 低压功率开关场景优化的 Single N-MOS,采用 Trench 工艺,兼具低导通电阻与高开关可靠性。DFN8(5X6) 封装在大电流散热与紧凑占板面积之间取得良好平衡。60V 耐压、15A 载流能力、24mΩ 导通电阻的组合,使其成为替代传统 DPAK 或 SOP-8 封装器件的理想升级选件,尤其适合高功率密度、高可靠要求的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 1.7V 15A 28(mΩ) 24(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 1.7V 15A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 1.7V 15A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N

VDS=60V:适配 12V/24V/48V 系统,留有充分电压尖峰裕量,降低雪崩击穿风险,提升系统鲁棒性。
VGS=±20V:兼容 4.5V~12V 逻辑电平,可直连 MCU/PMIC 或专用栅极驱动,简化外围电路设计。
Vth=1.7V(典型):低压驱动时即可开启,配合 4.5V 栅压可进入低导通状态,适合电池供电或电平受限场景。
RDS(on)=24mΩ @ VGS=10V,28mΩ @ VGS=4.5V:超低导通电阻,满载及过载条件下温升显著降低,可减少散热铜箔面积与系统热管理成本。
ID=15A:连续电流能力充裕,可从容应对电机启动、电源热插拔等瞬态大电流冲击。
封装 DFN8(5X6):底部散热焊盘设计,热阻低、寄生电感小,支持高频开关,同时节省 PCB 面积并提升贴装效率。

领域和模块应用:


车载电源系统:60V 耐压与 15A 载流能力适配 12V/24V 车载总线,用于 DC-DC 转换、电源分配及负载开关,抗瞬态能力强。
电机驱动模块:低导通电阻降低 PWM 功耗,Trench 工艺加快开关速度,使电机运行更平稳,控制器温升明显下降。
电池保护与管理:快速开关特性确保过流/短路时可靠关断,低内阻减少保护板自发热,延长电池组寿命。
DC-DC 转换器:同步整流应用中替代肖特基二极管,重载效率可提升 2~3%,助力模块小型化和轻量化。
工业控制与自动化:适用于 PLC 输出、电磁阀驱动、传感器电源管理等 24V/48V 低压工业场景,具备高可靠性和长期稳定性。
通信设备电源:48V 供电架构中作为 OR-ing 或负载开关,低导通压降减少功率损耗,宽安全工作区保障系统稳定。
电动工具与便携设备:15A 大电流输出能力满足高功率密度设计需求,DFN8 封装耐热性好,适合紧凑型控制器。选型总结:NVMFD5C680NLET1G-VB 在耐压等级、导通电阻、载流能力和封装散热之间实现出色均衡,是 60V 低压开关类应用的高性价比通用选择,特别适合对功率密度、热可靠性和系统成本有严格要求的设计项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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