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NVMFS5C670NLWFET1G-VB 产品详细

产品简介:

NVMFS5C670NLWFET1G-VB 是一款为中等电压功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,Trench 工艺兼顾低开关损耗与高可靠性,DFN8(5X6) 封装在散热性能与占板面积之间取得优秀平衡。60V 耐压、80A 载流能力、6mΩ 导通电阻的组合,使其成为替代传统 DPAK 或 SOP-8 封装器件的理想升级选件,尤其适合高密度、大电流应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A 7(mΩ) 6(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 2.5V 80A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N

VDS=60V:适配 12V/24V/48V 系统,留足尖峰电压裕量,降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V:兼容宽范围逻辑电平,可直连 MCU/PMIC,省去电平转换电路。
Vth=2.5V(典型):栅极驱动设计友好,兼顾抗干扰能力与低压导通性能。
RDS(on)=6mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,满载温升大幅降低,可减少散热铜箔面积。
RDS(on)=7mΩ @ VGS=4.5V:低压驱动下仍保持极低导通损耗,适配 5V 驱动系统。
ID=80A:连续电流余量充裕,能应对高功率负载的峰值需求。
封装 DFN8(5X6):低寄生电感、优秀热阻特性,支持高频开关,同时节省 PCB 面积并提升功率密度。

领域和模块应用:


服务器/通信电源:超低内阻提升 DC-DC 转换效率,大封装散热能力强,适配高压大电流母线。
电动工具与园林机械:80A 大电流承载能力配合低发热,确保长时间高负载运转稳定。
电池保护与 BMS:毫欧级内阻显著降低保护板自耗电,快速开关响应特性保障过流/短路安全。
电机驱动控制:低导通损耗与低开关损耗兼具,PWM 调速更平滑,控制器温升明显下降。
车载辅助电源:60V 耐压余量覆盖 12V/24V 车辆电气系统,宽温工作范围提升恶劣环境可靠性。
同步整流电路:替代肖特基二极管,重载效率可提升 2~3%,利于模块小型化与散热设计简化。
高功率 LED 驱动:低压降减少恒流源功耗,支持多路并联,提升整灯光效与寿命。选型总结:NVMFS5C670NLWFET1G-VB 在大电流能力、低导通电阻和封装热性能之间实现优异平衡,是 60V 中压功率开关类应用的高性能通用选择,特别适合对功率密度、温升控制和系统效率有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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