NVMFS5C670NLET1G-YE-VB - VBsemi MOS管制造商

NVMFS5C670NLET1G-YE-VB 产品详细

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NVMFS5C670NLET1G-YE-VB 是一款为中等电压功率开关场景深度优化的 Single N-MOS，Trench 工艺兼顾低开关损耗与高可靠性，DFN8(5X6) 封装在散热性能与占板面积之间取得良好平衡。60V 耐压、80A 载流能力、6mΩ 导通电阻的组合，使其成为替代传统 DPAK 或 SOP-8 封装器件的理想升级选件，尤其适合高密度、大电流、高可靠应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	60V		2.5V	80A		7(mΩ)	6(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	60V		2.5V	80A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	60V		2.5V	80A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

VDS=60V：适配 12V/24V/48V 系统，留足尖峰电压裕量，降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V：兼容 4.5V~12V 逻辑电平，可直连控制器/驱动器，简化栅极驱动设计。
Vth=2.5V（典型）：在中等电压驱动下可稳定进入充分导通区，兼顾抗干扰与驱动兼容性。
RDS(on)=6mΩ @ VGS=10V，7mΩ @ VGS=4.5V：超低导通电阻，满载温升显著降低，可减少散热铜箔面积，提升系统效率。
ID=80A：连续电流余量充裕，能应对电机、电源等场景的峰值负载需求。
封装 DFN8(5X6)：低寄生参数，支持高频开关，同时提供优良的底部散热路径，适合大电流 PCB 布局。

领域和模块应用：

直流无刷电机驱动：低导通电阻与低开关损耗配合，提升 PWM 调速效率，降低控制器温升。
DC-DC 转换器：同步整流应用中替代肖特基二极管，重载效率提升明显，利于模块小型化。
电动工具与工业控制：80A 大电流能力满足高功率密度需求，60V 耐压余量适配感性负载尖峰。
电池保护模块：微秒级开关响应确保过流/短路时快速关断，低内阻减少保护板自发热。
车载辅助电源：宽耐压范围和低导通损耗适配 12V/24V 车载总线，可靠应对瞬态冲击。
服务器与通信电源：高效率低压侧整流，降低整机能耗，提升功率密度。选型总结：NVMFS5C670NLET1G-YE-VB 在大电流、低导通电阻和中等耐压之间实现优秀平衡，是 60V 功率开关应用的高性能通用选择，特别适合对效率、热耗和可靠性有严格要求的项目。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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