SIR4406DP-T1-GE3-VB - VBsemi MOS管制造商

SIR4406DP-T1-GE3-VB 产品详细

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产品简介：

还在为大电流电源转换的发热与效率问题头疼？VBsemi SIR4406DP-T1-GE3-VB 来助力！这颗 DFN8(5X6) 封装的 N-MOS 管，采用先进 Trench 工艺，导通内阻低至 4.7mΩ @ 10V，额定电流高达 70A，堪称低压功率路径上的“低阻通路”。40V 耐压搭配 ±20V 宽驱动范围，轻松胜任各类高效率开关电源、电机驱动与电池保护场景，是工程师手中不可多得的“功率利器”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		2.5V	70A		6(mΩ)	4.7(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		2.5V	70A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		2.5V	70A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

耐压等级：40V（余量充足，稳定可靠）
驱动范围：±20V（兼容 3.3V/5V/12V 驱动）
开启门槛：2.5V（逻辑电平驱动友好）
超低内阻：4.7mΩ @ 10V；6mΩ @ 4.5V（传导损耗极低）
大电流能力：70A（大封装大能量）
封装：DFN8(5X6)（低热阻，适合高功率密度设计）

领域和模块应用：

六大热门场景，一芯搞定
同步整流 DC-DC：低压大电流转换，效率提升显著，发热大幅降低
电机驱动：电动工具、航模动力，响应迅猛，调速丝滑
电池保护与管理：高倍率放电场景，瞬间切断过流，守护电芯安全
车载电源系统：宽温域、抗冲击，为车机与辅助供电提供坚实保障
服务器电源：云端与通信设备负载点供电，高可靠、低损耗
电动工具与工业控制：大功率开关，耐震耐用，应对严苛工况SIR4406DP
大电流，低内阻，让您的功率设计游刃有余！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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