TPH3R203NL,L1Q-VB - VBsemi MOS管制造商

TPH3R203NL,L1Q-VB 产品详细

TPH3R203NL,L1Q-VB 是大电流、低损耗的 N 沟道 MOS 管，采用 DFN8(5X6) 封装，30V 耐压，120A 载流能力。Trench 工艺加持，导通电阻低至 3mΩ（10V 驱动），发热极低、效率出色。±20V 宽栅极驱动范围，适配多种低压控制电路，适合高功率密度电源应用。

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A		5(mΩ)	3(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	120A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

耐压：30V
驱动电压：±20V
开启阈值：1.7V
导通电阻（4.5V 驱动）：5 mΩ
导通电阻（10V 驱动）：3 mΩ
最大电流：120A
封装：DFN8(5X6)
工艺：Trench

大功率 DC-DC 转换器 → 同步整流，效率更高
电池保护板 / BMS → 大电流通断，安全可靠
电机驱动模块 → 低内阻、高耐流，响应迅速
服务器电源 / 通信电源 → 高功率密度，散热无忧
电动工具 / 车载设备 → 抗冲击，稳定耐用
负载开关 / 电源管理 → 压降小，发热低，输出强劲

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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