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TPH2900ENH,L1Q-VB 产品详细

产品简介:

TPH2900ENH,L1Q-VB 是一款面向高压功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,Trench 工艺兼顾低开关损耗与高可靠性,DFN8(5X6) 封装在散热性能与占板面积之间取得平衡。200V 耐压、30A 载流能力、38mΩ 导通电阻的组合,使其成为通信电源、工业控制及新能源系统的优选器件,尤其适合高功率密度、严苛热环境下的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 200V 3V 30A 38(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N

VDS=200V:适配 48V/72V/110V 等高压总线系统,留足尖峰电压裕量,降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V:兼容 10V~15V 驱动电压,可直连栅极驱动 IC 或 PWM 控制器,简化驱动电路设计。
Vth=3V(典型):阈值电压适中,抗干扰能力强,同时确保高压工况下稳定可靠的开启特性。
RDS(on)=38mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,满载温升显著降低,可减少散热器面积或增大功率密度。
ID=30A:连续电流余量充裕,能应对电机、电源等负载的冲击电流与峰值需求。
封装 DFN8(5X6):低寄生电感、优异热阻特性,支持高频开关,同时节省 PCB 面积并提升可靠性。

领域和模块应用:


高压 DC-DC 转换器:低导通损耗提升变换效率,DFN8 封装利于模块小型化与高效散热。
通信基站电源:高耐压余量适配 48V 母线,稳定应对宽范围输入波动,保障系统长期可靠运行。
光伏逆变器辅助电源:200V 耐压覆盖母线电压应力,低内阻降低输出损耗,提升整机效率。
工业电机驱动:PWM 开关损耗低,高压高流能力适配 380V 系统辅助电路,控制器温升明显下降。
电动两轮车/三轮车控制器:30A 载流能力满足大功率驱动需求,DFN8 封装适合紧凑控制器结构。
电池充放电管理:高压侧保护电路快速响应,低导通电阻减少充电回路压降,提升充电效率。
储能系统(ESS)电源管理:耐压与电流余量宽裕,宽温度范围内工作稳定,契合储能设备长寿命要求。选型总结:TPH2900ENH,L1Q-VB 在高压耐压、低导通电阻、大电流能力和紧凑封装之间实现均衡,是 200V 中低压开关类应用的高性能通用选择,特别适合对功率密度、热耗散及长期可靠性有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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