TPH1400ANH,L1Q-VB - VBsemi MOS管制造商

TPH1400ANH,L1Q-VB 产品详细

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产品简介：

TPH1400ANH,L1Q-VB 是高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用 DFN8（5×6）小型封装，却拥有 65A 的大电流承载能力。100V 耐压搭配 Trench 工艺，导通电阻低至 9mΩ（10V 驱动），发热小、效率高，适合高功率密度应用。门极驱动范围宽达 ±20V，兼容 4.5V 与 10V 逻辑电平，使用灵活，系统设计更简便。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		12.36(mΩ)	9(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

耐压：100V
驱动电压：±20V
开启阈值：2.5V
导通电阻（4.5V 驱动）：12.36 mΩ
导通电阻（10V 驱动）：9 mΩ
最大电流：65A
封装：DFN8（5×6）
工艺：Trench

领域和模块应用：

电机驱动与工业控制 → 大电流开关，稳定可靠
电动工具、机器人电机 → 响应迅速，发热低
DC-DC 转换器 → 同步整流，效率显著提升
电池充放电保护 → 高耐压，安全切断
车载电源与辅助系统 → 抗冲击，耐温性好
服务器电源、通信电源 → 高功率密度，散热更优
太阳能逆变器、UPS → 低损耗，节能省电

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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