ISC165N15NM6ATMA1-VB - VBsemi MOS管制造商

ISC165N15NM6ATMA1-VB 产品详细

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产品简介：

还在为大电流开关损耗高、散热设计头疼？VBsemi ISC165N15NM6ATMA1-VB 来解忧！这颗 DFN8(5X6) 封装的 N-MOS 管，采用 Trench 工艺，具备 100V 耐压与 65A 大电流承载能力，导通内阻低至 9mΩ（@10V），发热量显著低于同类器件。宽幅驱动兼容 3.3V/5V/12V 逻辑，开关速度快、损耗低，是电源转换、电机驱动与电池保护场景下的“效率硬核”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		12.36(mΩ)	9(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

耐压等级：100V（余量充足，适用中压系统）
驱动范围：±20V（兼容多电平驱动方案）
开启门槛：2.5V（逻辑电平可稳定触发）
超低内阻：9mΩ @ 10V；12.36mΩ @ 4.5V（传导损耗极低）
大电流能力：65A（大功率应用从容应对）
封装：DFN8(5X6)（低热阻，适合高密度功率设计）
技术：Trench（低开关损耗，高频特性优异）

领域和模块应用：

六大热门场景，一颗搞定
DC-DC 转换：同步整流与降压电路，助力模块小型化高效率
电机驱动：电动工具、无人机、机器人电机控制，调速平滑响应快
电池保护：充放电回路大电流通断，守护电池安全
车载电源：车用电器供电与负载管理，宽温域高可靠
工业电源：服务器电源、通信设备电源，稳定输出低损耗
快充方案：大功率充电器同步整流，提升充电效率降低温升ISC165N15NM6ATMA1-VB
百伏耐压、65A 大电流、9mΩ 超低内阻，为中大功率设计注入强劲动力！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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