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TK10E80W,S1X-VB 产品详细

产品简介:

TK10E80W,S1X-VB 是一款面向高压功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,采用 SJ_Multi-EPI(超结多外延)工艺,在 800V 耐压等级下实现了优异的导通电阻与开关特性平衡。TO220 封装具备良好的散热能力与安装便利性,适合工业电源、逆变器及高压辅助电路等对可靠性和热性能要求较高的应用。9A 连续电流、600mΩ 导通电阻与宽栅压范围的组合,使其成为高压开关拓扑中兼具性能与成本优势的通用选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 9A 600(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 800V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N

VDS=800V:适配三相整流、PFC 及工业母线系统,为高压尖峰提供充足裕量,有效降低雪崩击穿风险。
VGS=±30V:栅极驱动窗口宽,兼容多种高压驱动 IC 及分立驱动电路,提升系统抗干扰能力。
Vth=3.5V(典型):阈值电压适中,兼顾抗噪声能力与驱动兼容性,适合标准高压栅极驱动条件。
RDS(on)=600mΩ @ VGS=10V:在 800V 耐压级别中保持较低导通电阻,减少导通损耗,降低散热器尺寸需求。
ID=9A:连续电流能力可满足多数高压开关电源和逆变器桥臂的功率传输需求,脉冲电流余量更充裕。
封装 TO220:通孔安装便于 PCB 布局与散热设计,热阻低,适合中高功率密度应用,支持自动化装配。

领域和模块应用:


开关电源(SMPS):高压 MOSFET 用于反激、正激及 LLC 拓扑的主开关,低损耗特性提升整机效率。
PFC 功率因数校正:800V 耐压配合低导通电阻,适用于 Boost PFC 电路,减少整流桥后级应力。
高压 DC-DC 转换器:在工业总线供电、光伏优化器等场景中实现高效电压变换,支持宽输入范围。
电机驱动与逆变器:用于三相逆变器或高压 BLDC 驱动,稳定可靠,开关损耗低,利于电机平稳运行。
UPS 不间断电源:在电池逆变升压环节中承担功率切换,耐压余量保障异常冲击下的安全性。
工业辅助电源:为 PLC、伺服驱动器、仪器仪表提供高压辅助供电,适应恶劣电网环境。
LED 照明驱动:在高压恒流或线性应用中用作开关器件,提升功率因数与整体光效。
焊接与切割设备:高频逆变焊机中做功率开关,抗过载能力强,适应重载工况。选型总结:TK10E80W,S1X-VB 在 800V 高压平台下实现了导通电阻、电流能力与封装散热的良好平衡,是工业级高压开关类应用的高性价比优选,特别适合对耐压、可靠性和热耗有严格要求的电源与驱动项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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