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TK190E65Z,S1X-VB 产品详细

产品简介:

TK190E65Z,S1X-VB 是一款面向高压功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,采用 SJ_Multi-EPI 超结工艺,在 650V 耐压等级下实现了导通电阻与开关损耗的良好平衡。TO220 封装具备优异的散热能力与安装便利性,适合工业电源、光伏逆变、充电桩等中大功率应用。15A 连续载流能力与 220mΩ 导通电阻的组合,使其成为高压高频开关拓扑中兼顾效率与可靠性的高性价比选型。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A 220(mΩ) SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 15A SJ_Multi-EPI
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
TO220 Single-N

VDS=650V:适配三相 380V 输入及 600V 级母线系统,留有充足尖峰电压裕量,提升系统抗雪崩能力。
VGS=±30V:栅极驱动耐压范围宽,兼容多种 PWM 驱动芯片及隔离驱动方案,降低误开通风险。
Vth=3.5V(典型):阈值电压适中,抗干扰能力强,适合工业级驱动环境,同时保证高压下可靠关断。
RDS(on)=220mΩ @ VGS=10V:超结工艺带来的低导通电阻,满载导通损耗显著降低,利于散热器小型化。
ID=15A:连续电流余量充裕,可覆盖 1kW~3kW 级开关电源及电机驱动主功率级需求。
封装 TO220:传统直插封装,热阻低、可加装散热片,适合对热可靠性要求较高的功率回路设计。

领域和模块应用:


开关电源:650V 耐压配合低导通损耗,适用于 LLC、反激等拓扑的主开关管,提升满载效率。
光伏逆变器:超结结构降低高压开关损耗,适配 MPPT 升压及 DC-AC 桥臂,改善整机温升。
充电桩辅助电源:高耐压余量应对电网波动,15A 电流能力满足多路输出功率需求。
电机驱动器:用于工业变频器及伺服驱动整流/逆变级,PWM 开关特性优良,运行更稳定。
不间断电源(UPS):在高压母线切换和逆变环节中提供可靠开关能力,增强系统过载耐受性。
电力物联网设备:TO220 封装便于手工焊接与维护,适合开发阶段快速验证及中批量生产。选型总结:TK190E65Z,S1X-VB 以 650V 耐压、15A 电流、220mΩ 导通电阻及超结工艺为核心优势,在高压开关应用中实现了性能、热管理与成本的良好平衡,是工业级电源与功率转换系统的高可靠性通用选择,特别适合对耐压和长期稳定性有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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