2SK3288ENTL-E-VB - VBsemi MOS管制造商

2SK3288ENTL-E-VB 产品详细

2SK3288ENTL-E-VB 是超小型、低功耗的 N 沟道 MOS 管，SC75-3 封装，60V 耐压，0.33A 载流能力。Trench 工艺加持，导通电阻优化至 1200mΩ（10V 驱动），适合小信号开关与电平转换场景。门极驱动灵活，±20V 宽范围，适配多种低压控制电路。

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC75-3	Single-N	60V		1.7V	0.33A		2000(mΩ)	1200(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC75-3	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC75-3	Single-N	60V		1.7V	0.33A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC75-3	Single-N	60V		1.7V	0.33A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SC75-3	Single-N

耐压：60V
驱动电压：±20V
开启阈值：1.7V
导通电阻（4.5V 驱动）：2000mΩ
导通电阻（10V 驱动）：1200mΩ
最大电流：0.33A
封装：SC75-3
技术：Trench

便携设备信号开关 → 微功耗、响应快
逻辑电平转换 → 兼容 3.3V/5V 控制
电池保护电路 → 精准通断，安全可靠
传感器接口 → 小电流负载驱动稳定
LED 指示灯控制 → 简单高效，节省空间
DC-DC 辅助电路 → 轻载高效，损耗低
小型电源管理模块 → 小封装，高集成度

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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