6HN04MH-TL-E-VB - VBsemi MOS管制造商

6HN04MH-TL-E-VB 产品详细

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还在为小信号开关电路选型纠结？VBsemi 6HN04MH-TL-E-VB 来帮忙！这颗 SC70-3 封装的单 N-MOS 管，体积比米粒还小，却能承受 60V 耐压，配合 Trench 工艺带来稳定可靠的开关特性。导通内阻在 10V 驱动下仅 2000mΩ，适合低压逻辑控制、信号切换与电源管理辅助电路，是工程师手中精致的“小开关利器”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	0.3A		4000(mΩ)	2000(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	0.3A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	0.3A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SC70-3	Single-N

产品参数
耐压等级：60V（余量充足，适用更宽电压场景）
驱动范围：±20V（兼容 3.3V/5V/12V 逻辑驱动）
开启门槛：1.7V（低压逻辑可直接控制）
导通内阻：2000mΩ @ 10V；4000mΩ @ 4.5V（小信号损耗低）
漏极电流：0.3A（满足信号与轻负载驱动需求）
封装：SC70-3（超小尺寸，适合高密度布局）
技术：Trench（开关性能稳定，可靠性高）

领域和模块应用：

领域和模块应用 —— 四大典型场景，一颗搞定
信号开关：模拟信号通断、逻辑电平转换，响应迅速无延迟
电源管理：辅助供电、启动电路、负载开关，静态功耗低
传感器接口：工业与消费类传感器信号调理，隔离稳定
便携设备：TWS 耳机、智能手表等穿戴设备内部电源路径管理6HN04MH-TL-E-VB —— 微小封装，稳定可靠，让您的低压控制设计更精巧！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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