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3LN02M-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

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VBsemi 3LN02M-TL-E-VB是一款Single N沟道场效应管,属于VBsemi品牌产品系列。该产品具有高耐压和低功耗特性,适用于多种电力控制与信号调节应用。采用Trench技术制造,具有60V的漏极-源极电压(VDS),并在正负20V的门极-源极电压(VGS)下工作。该产品封装采用SC70-3,适合空间受限的紧凑型电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-N 60V 1.7V 0.3A 4000(mΩ) 2000(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-N 60V 1.7V 0.3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-N 60V 1.7V 0.3A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SC70-3 Single-N
产品参数:
漏极-源极电压(VDS):60V
门极-源极电压(VGS):±20V
阈值电压(Vth):1.7V
导通电阻(VGS=4.5V):4000 mΩ
导通电阻(VGS=10V):2000 mΩ
最大漏极电流(ID):0.3A
技术:Trench

领域和模块应用:


领域和模块应用:
1. 便携式设备电源管理:3LN02M-TL-E-VB适用于便携式设备的电源管理模块,如智能穿戴设备、手持仪器等,可实现高效的电源切换与稳压控制,并具有低静态功耗优势。
2. 电池保护模块:在锂电池保护电路中,该型号可用作充放电控制开关,配合低漏电流特性,确保电池安全运行并延长使用寿命。
3. 信号开关与模拟开关:由于具有较低的导通电阻和小封装尺寸,该器件适用于音频信号切换、传感器信号调理等低压小电流开关控制场合。
4. 消费电子控制模块:在智能家居、USB外设、电子玩具等产品中,该MOSFET可用于负载开关和电源门控电路,实现精准的功率分配。
5. LED照明驱动领域:该产品可用于低压LED驱动电路中的恒流或调光控制,特别适合小功率LED灯条和指示灯驱动应用。
6. DC-DC转换器辅助电路:在DC-DC转换器的启动电路、欠压锁定或辅助供电支路中,该器件可作为小信号开关,提升系统整体效率与可靠性。
7. 车载辅助电子系统:在车载电子控制单元(ECU)中,该型号可用于传感器接口、逻辑电平转换及低功率负载驱动,满足车规级稳定性和耐压要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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