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IAUZN08S7N046ATMA1-VB 产品详细

产品简介:

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IAUZN08S7N046ATMA1-VB 是一款为高效功率转换场景深度优化的 Single N-MOS,采用先进的 SGT 工艺,在开关速度与导通损耗之间实现出色平衡。DFN8(3X3) 封装兼具优异散热能力与紧凑占板面积,适合高密度电源设计。80V 耐压、56A 载流能力、7.5mΩ 导通电阻的组合,使其成为服务器电源、工业控制及车载系统中替代传统 DPAK 或 SOP-8 器件的理想升级选件,尤其适用于对热性能与可靠性有严格要求的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 80V 3V 56A 11.5(mΩ) 7.5(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 80V 3V 56A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 80V 3V 56A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
产品参数
(选型决策要点)
VDS=80V:适配 24V/36V/48V 系统,留足尖峰电压裕量,显著降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V:兼容 3.3V~12V 逻辑电平,可直连 MCU/PMIC,简化驱动电路设计。
Vth=3V(典型):阈值电压适中,抗干扰能力强,同时保证常用栅压下的充分导通。
RDS(on)=11.5mΩ @ VGS=4.5V:低压驱动下仍保持低导通电阻,适用于 5V 逻辑驱动场景。
RDS(on)=7.5mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,满载温升大幅降低,可减少散热器或铜箔面积。
ID=56A:连续电流能力充裕,可应对高功率负载的冲击与持续输出需求。
封装 DFN8(3X3):底部散热焊盘设计,热阻低、寄生参数小,支持高频开关并节省 PCB 面积。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
高效 DC-DC 转换器:同步整流应用中替代肖特基二极管,重载效率提升明显,利于电源模块小型化。
服务器与通信电源:80V 耐压搭配低内阻,满足 48V 总线架构的功率转换需求,提升系统能效。
电机驱动控制:低开关损耗与高电流能力使电机运行更平稳,控制器温升显著下降,适合工业及车载电机。
电池充放电管理:宽耐压范围与快速开关特性,可有效处理充电泵及保护电路中的瞬态应力。
车载辅助电源:80V 电压等级适配 12V/24V/48V 车载网络,宽温工作范围确保恶劣环境下的可靠性。
LED 照明驱动:低导通压降减少恒流源功耗,支持多路并联,提升整灯效率与寿命。
功率配电模块:56A 载流能力和极低导通电阻,适用于高功率负载的电源路径管理,减少系统损耗。选型总结:IAUZN08S7N046ATMA1-VB 在耐压、电流、导通电阻和封装热性能间实现均衡,是 80V 级功率开关应用的高性能通用选择,特别适合对效率、温升和功率密度有严格要求的电源与驱动项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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