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DMTH63M5LFGQ-13-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi DMTH63M5LFGQ-13-VB是一款Single N沟道场效应管,属于VBsemi品牌高性能功率MOSFET系列。该产品采用先进的SGT(Split Gate Trench)技术制造,具备极低的导通电阻和优异的电流处理能力,适用于各类中低压电力转换与电源管理应用。器件具有60V的漏极-源极电压(VDS),门极-源极电压(VGS)范围为±20V,采用DFN8(3X3)小型封装,有利于高密度电路布局与高效散热设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 2.5V 50A 7.7(mΩ) 6.5(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 2.5V 50A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 60V 2.5V 50A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
产品参数:
- 漏极-源极电压(VDS):60V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 导通电阻(VGS=4.5V):7.7 mΩ
- 导通电阻(VGS=10V):6.5 mΩ
- 最大漏极电流(ID):50A
- 封装形式:DFN8(3X3)
- 技术类型:SGT

领域和模块应用:


领域和模块应用:
1. 电源管理模块:DMTH63M5LFGQ-13-VB适用于DC-DC转换器、同步整流电路及服务器电源模块,凭借低导通电阻和高开关速度,可有效提升系统转换效率并降低功率损耗。
2. 电池保护与管理系统:在锂电池保护板及储能设备中,该MOSFET可作为充放电回路的高侧或低侧开关,实现可靠的电流通断控制,保障电池组安全运行。
3. 电机驱动控制:适用于低压电机驱动模块,如电动工具、风扇、水泵和机器人关节电机等,支持大电流输出,满足电机启动和调速需求。
4. 车载电子系统:在汽车辅助电源、车灯控制、车载充电器等领域,该器件能够稳定工作在较高电压环境下,提供可靠的功率切换与防护能力。
5. 电动工具与工业控制:用于电动螺丝刀、电钻等便携式工具中的开关电路,以及工业控制板中的功率接口,具备优异的抗冲击和过流能力。
6. 消费电子产品:在智能家居设备、USB PD快充适配器、无线充电器等消费类电源中,可作为核心开关器件,帮助实现小型化设计和高效能量转换。
7. 太阳能与新能源系统:适用于光伏逆变器、MPPT控制器和电池储能系统的功率级电路,其低导通电阻有助于减小温升,提高系统长期可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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