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TPN1110ENH,L1Q-VB 产品详细

产品简介:

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VBsemi TPN1110ENH,L1Q-VB是一款Single N沟道场效应管,属于VBsemi品牌产品系列。该产品具有高电压承受能力和低导通损耗,适用于多种中高压电力转换与控制应用。采用SGT(Split Gate Trench)技术制造,具有200V的漏极-源极电压(VDS),并在±20V的门极-源极电压(VGS)范围内稳定工作。该产品封装采用DFN8(3×3)小型化封装,适合高密度电路布局及需要良好散热性能的应用环境。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 200V 3V 10A 145(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 200V 3V 10A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 200V 3V 10A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(3X3) Single-N
产品参数:
漏极-源极电压(VDS):200V
门极-源极电压(VGS):±20V
阈值电压(Vth):3V
导通电阻(VGS=10V):145mΩ
最大漏极电流(ID):10A
技术:SGT
封装:DFN8(3X3)

领域和模块应用:


领域和模块应用:
1. 开关电源(SMPS):TPN1110ENH,L1Q-VB适用于中等功率开关电源的一次侧开关电路,如AC-DC适配器、工业电源模块等,凭借200V耐压和低导通电阻,可提升转换效率并降低损耗。
2. LED照明驱动:在高压LED照明驱动电路中,该器件可用于恒流开关控制或PWM调光模块,确保照明系统稳定运行,并实现高效节能。
3. 电机驱动模块:适用于额定电压在100V~180V的小型电机驱动电路,如电动工具、风机、水泵等控制模块,用于电机的启停与调速控制。
4. 电池充电与保护电路:在电动自行车、储能设备及锂电池组管理系统中,可用作充电回路的高侧开关或放电保护开关,保障系统安全并延长电池寿命。
5. DC-DC转换器:用于工业控制、通信设备及车载电源系统的DC-DC变换电路,尤其适合同步整流和正激/反激拓扑中的开关管应用。
6. 车载辅助电源系统:在新能源汽车或传统汽车的辅助供电模块中,可用于低压DC-DC转换、车载充电器等电路,提供可靠的电力控制能力。
7. 逆变器与不间断电源(UPS):在小型逆变器或UPS功率级中,该MOSFET可作为高频开关器件,配合控制电路实现稳定的交流输出,适合对体积和效率有要求的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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