NTMFS6H864NT1G-VB - VBsemi MOS管制造商

NTMFS6H864NT1G-VB 产品详细

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产品简介：

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还在为大功率 DC-DC 转换器发热严重、导通损耗大而烦恼？VBsemi NTMFS6H864NT1G-VB 来解忧！这颗 DFN8(5X6) 封装的 N-MOS 管，采用先进 SGT 工艺，100V 耐压等级下导通内阻低至 6mΩ，支持 65A 超大电流输送，功率密度与效率表现俱佳。无论是服务器电源、通信基站还是工业电机驱动，它都能以极低温升与开关损耗，成为您高功率密度设计的“性能引擎”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		8(mΩ)	6(mΩ)	SGT

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	65A		SGT

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

产品参数
耐压等级：100V（高压应用从容应对）
驱动范围：±20V（兼容多种栅极驱动电压）
开启门槛：2.5V（标准逻辑电平可靠开启）
超低内阻：6mΩ @ 10V（传导损耗极低）
8mΩ @ 4.5V（低压驱动依旧出色）
大电流能力：65A（单管承载大功率负载）
封装：DFN8(5X6)（低热阻，适合大电流高密度布线）
技术：SGT（屏蔽栅沟槽工艺，开关损耗更低）

领域和模块应用：

领域和模块应用 —— 六大热门场景，一芯搞定
大功率 DC-DC 转换器：同步整流 BUCK/BOOST，效率可达 98% 以上
服务器电源：48V 母线转换，高可靠、低温升、长寿命
电动工具与电机驱动：无刷直流电机控制，扭矩大、响应快
车载电子系统：48V 轻混电源、DC-DC 辅助电源，抗冲击、宽温域
通信基站电源：高频开关电路，损耗低、热管理更简单
工业电池保护：高倍率充放电场景，瞬时大电流不惧冲击NTMFS6H864NT1G-VB —— 低压驱动、高压承载、大电流输出，让您的电源设计更高效、更从容！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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