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DMT8012LPSW-13-VB 产品详细

产品简介:

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DMT8012LPSW-13-VB 是一款面向高效功率转换场景深度优化的 Single N-MOS,采用 SGT 工艺,在开关速度与导通损耗之间实现出色平衡。DFN8(5X6) 封装兼具优良散热能力和紧凑占板面积,适用于高功率密度设计。100V 耐压、65A 载流能力、6mΩ 超低导通电阻的组合,使其成为通信电源、工业控制及车载系统的理想功率开关选件。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A 8(mΩ) 6(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
产品参数
(选型决策要点)
VDS=100V:适配 48V/60V/72V 等中压系统,为感性负载开关提供充足尖峰电压裕量,增强系统可靠性。
VGS=±20V:兼容宽范围栅极驱动电压,支持 4.5V 至 12V 逻辑电平,灵活适配 MCU、驱动器或专用栅极 IC。
Vth=2.5V(典型):阈值电压适中,兼顾抗干扰能力与低压驱动性能,防止误触发同时保证充分导通。
RDS(on)=6mΩ @ VGS=10V,8mΩ @ VGS=4.5V:超低导通电阻显著降低导通损耗,满载工况下温升更低,可简化散热设计。
ID=65A:连续电流能力强劲,满足大功率负载需求,并留有充足峰值电流余量。
封装 DFN8(5X6):低寄生电感、低热阻,支持高频开关,提升系统效率,同时节省 PCB 面积。
技术 SGT(屏蔽栅沟槽):优化电荷平衡,降低栅极电荷与开关损耗,适合高频 PWM 应用。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
DC-DC 转换器:在同步整流 BUCK/BOOST 拓扑中替代传统肖特基二极管,重载效率可提升 2~3%,特别适合服务器电源与通信模块。
电机驱动:低导通电阻和快速开关特性减少 PWM 损耗,使电机运行更平稳,控制器温升显著下降。
电池保护与电源管理:毫欧级内阻降低保护板自发热,高耐压余量确保过压、瞬态冲击下可靠关断。
工业控制与新能源:适配 48V-72V 总线系统,用于辅助电源、逆变器及储能设备的功率级切换。
车载辅助电源:宽电压范围与高浪涌耐受能力契合 12V/24V/48V 车载电气架构,满足严苛工作环境要求。
电动工具与园林机械:65A 大电流输出能力匹配高负载启动需求,超低内阻提升电池续航与整机功率。
LED 大功率照明驱动:低导通压降减少恒流源损耗,多路并联可进一步提升输出能力,优化光效与热管理。选型总结:DMT8012LPSW-13-VB 以 100V 耐压、65A 大电流、6mΩ 超低导通电阻和 SGT 技术为核心优势,在性能、封装与可靠性之间实现高水准平衡,是中压大功率开关应用的高性价比通用选择,特别适合对效率、温升和功率密度有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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