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SIR680ADP-T1-BE3-VB 产品详细

产品简介:

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SIR680ADP-T1-BE3-VB 是一款面向高功率密度开关场景优化的 Single N-MOS,采用先进的 SGT(Split-Gate Trench)工艺,在极低导通电阻与快速开关能力之间实现出色平衡。DFN8(5X6) 封装具备优异的散热路径和低寄生电感,适配大电流、高频率工作环境。80V 耐压、180A 载流能力、1.9mΩ 导通电阻的组合,使其成为服务器电源、车载系统、工业电机驱动等高要求应用的理想功率开关选件。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 80V 3V 180A 1.9(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 80V 3V 180A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 80V 3V 180A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
产品参数
(选型决策要点)
VDS=80V:覆盖 24V/36V/48V/60V 系统,留足电压尖峰裕量,显著提升系统抗雪崩与抗浪涌能力。
VGS=±20V:兼容多种栅极驱动电压,支持 4.5V~12V 驱动逻辑,可灵活匹配控制器与驱动芯片。
Vth=3V(典型):阈值电压适中,兼顾抗干扰性与驱动兼容性,适合工业级 PWM 控制场景。
RDS(on)=1.9mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,有效降低满载导通损耗,减少大电流工作下的温升,可简化散热设计。
ID=180A:连续电流能力强劲,能够从容应对电机堵转、电源冲击等极端瞬态负载。
封装 DFN8(5X6):大面积裸露焊盘增强散热,低封装电阻和低寄生电感支持高频开关,适合紧凑型高功率模块设计。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
服务器与通信电源:低压大电流同步整流中替代传统 MOS,重载效率提升显著,配合 80V 耐压可吸收母线尖峰。
电池储能与保护系统:毫欧级内阻最大限度减少保护板自发热,高电流余量适配大容量电池组充放电管理。
电机驱动与控制:SGT 工艺降低开关损耗,PWM 高频运行下温升更低,适合电动工具、无人机及机器人关节驱动。
车载 DC-DC 转换器:80V 耐压覆盖 12V/24V 车载母线,具备充足的雪崩耐受能力,适应引擎舱高温环境。
电动车辆电源分配单元(PDU):大电流通断能力配合低导通压降,有效提升整机效率,减小功率模块体积。
工业电源与逆变器:高频变压器初级开关或同步整流级应用,低导通与低开关损耗双向收益,提升功率密度。
锂电池化成与老化设备:长时间大电流工作场景下,1.9mΩ 的低内阻确保器件温升可控,提升系统稳定性和寿命。选型总结:SIR680ADP-T1-BE3-VB 以 80V 耐压、180A 大电流和 1.9mΩ 超低导通电阻为核心优势,结合 SGT 技术与 DFN8(5X6) 封装,为高功率密度、高效率、高可靠性的功率转换系统提供了极具竞争力的解决方案,特别适合对发热、空间和动态响应有严格要求的工业级与车规级应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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