ISC024N08NM7ATMA1-VB - VBsemi MOS管制造商

ISC024N08NM7ATMA1-VB 产品详细

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还在为高功率密度设计中的导通损耗和散热问题头疼？VBsemi ISC024N08NM7ATMA1-VB 来破局！这颗 DFN8(5X6) 封装的大电流 N-MOS 管，单管可承载 180A 峰值电流，导通内阻低至 1.9mΩ（@10V），发热量大幅低于同类器件。采用先进的 SGT（屏蔽栅沟槽）技术，开关损耗小、EMI 特性优异，80V 耐压从容应对通信电源、电机驱动、锂电池保护等严苛场景，是高性能电源系统的“效率基石”。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	80V		3V	180A			1.9(mΩ)	SGT

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	80V		3V	180A		SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	80V		3V	180A		SGT

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

产品参数
耐压等级：80V（余量充足，安全可靠）
驱动范围：±20V（兼容多种栅极驱动方案）
开启门槛：3V（逻辑电平友好，驱动设计灵活）
超低内阻：1.9mΩ @ 10V（传导损耗极低，大电流无忧）
大电流能力：180A（DFN8 封装下的强悍能量）
封装：DFN8(5X6)（低寄生电感，适合高密度功率布局）
技术：SGT（屏蔽栅沟槽，兼顾低导通损耗与快速开关）

领域和模块应用：

领域和模块应用 —— 六大高功率场景，一颗搞定
通信电源：同步整流、DC-DC 模块，效率更高温升更低
电机驱动：无人机、电动工具，大电流输出动力澎湃
锂电池保护：快速切断故障电流，为储能系统保驾护航
汽车电子：车用 DC-DC、加热控制，宽温域高可靠
服务器电源：负载瞬态响应快，助力数据中心节能降耗
工业控制：大功率开关、UPS，稳定耐用不怕冲击ISC024N08NM7ATMA1-VB —— 超低内阻，大电流王者，让您的功率设计更从容！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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