推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

NVMFS5C604NLWFET1G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
NVMFS5C604NLWFET1G-VB 是一款为低压大电流功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,采用先进 SGT 工艺,兼顾超低导通电阻与优异开关性能,DFN8(5X6) 封装在散热能力与占板面积之间取得理想平衡。60V 耐压、200A 载流能力、1.3mΩ 导通电阻的组合,使其成为高功率密度电源、电机驱动及电池保护等应用的优选器件,尤其适合对热耗和效率有严苛要求的系统。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 3V 200A 1.3(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 3V 200A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 60V 3V 200A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
产品参数
(选型决策要点)
VDS=60V:适配 12V/24V/48V 系统,提供充足的尖峰电压裕量,降低雪崩击穿风险,提升系统鲁棒性。
VGS=±20V:兼容多种逻辑电平驱动,可直连 MCU/PMIC 或专用栅极驱动器,简化外围电路设计。
Vth=3V(典型):阈值电压适中,既能有效抗干扰,又可在 10V 驱动下充分导通,兼顾驱动兼容性与开关可靠性。
RDS(on)=1.3mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,满载导通损耗极小,显著降低温升,可减少散热器或铜箔面积需求。
ID=200A:连续电流能力极强,可从容应对大功率负载的冲击电流和持续高电流工况。
封装 DFN8(5X6):低寄生电感,支持高频开关,同时具备优良热阻特性,利于高密度布局和高效散热。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
高功率 DC-DC 转换器:超低导通电阻显著提升同步整流效率,重载效率可提高 2~3%,助力模块小型化。
电池保护与管理系统:毫欧级内阻减少保护板自发热,快速响应特性确保过流/短路时可靠关断,适配大容量电池组。
电机驱动与无人机电调:PWM 开关损耗低,大电流承载能力强,电机运行更平稳,控制器温升明显下降。
车载电源与辅助负载:60V 耐压覆盖 12V/24V 车载总线,宽安全工作区适应抛负载等瞬态冲击,可靠性高。
电动工具与工业设备:200A 峰值电流余量充裕,配合低导通电阻,可满足高负载循环工况下的严苛需求。
服务器与通信电源:同步整流和 ORing 电路中可替代多颗并联 MOSFET,减小占板面积,提升功率密度。选型总结:NVMFS5C604NLWFET1G-VB 在超低导通电阻、大电流承载能力和散热性能之间实现出色均衡,是 60V 低压大电流开关类应用的高性能通用选择,特别适合对效率、热耗和功率密度有极致要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询