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RBA80N04DANS-4UB03#HB0-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
您正在设计一款高功率密度电源模块或车规级负载开关,面对 40V 母线电压和上百安的瞬态电流,普通 MOS 管要么导通损耗过高,要么封装热阻难以承受。VBsemi RBA80N04DANS-4UB03#HB0-VB 正是为此而生——它采用 DFN8(5X6) 先进封装,将 40V 耐压、150A 连续电流能力和低至 1.09mΩ 的导通电阻集于一身,配合 SGT 超级沟槽技术,让大电流路径的损耗降到极致,为您的系统留出更多热预算与性能余量。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 150A 1.5(mΩ) 1.09(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 150A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 40V 3V 150A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
产品参数(实力数据)
- 耐压 40V,覆盖 12V/24V/36V 系统及车载母线应用
- 门极驱动范围 ±20V,兼容多种驱动 IC 与逻辑电平
- 阈值电压 3V,开启明确,抗干扰能力强
- 导通电阻 1.09mΩ(10V 驱动),1.5mΩ(4.5V 驱动),低压驱动同样高效
- 最大电流 150A,适合大功率开关与同步整流
- 采用 SGT 技术,优值系数(FOM)行业领先,开关损耗与导通损耗同步优化
- DFN8(5X6) 封装,低热阻、小占板面积,适合高密度布局

领域和模块应用:


领域和模块应用(真实落地场景)
- 大功率 DC-DC 同步整流 – 替代传统肖特基二极管,显著降低导通压降,提升转换效率 2~4%。
- 电机驱动控制 – 面向电动工具、电动自行车等大电流场景,实现高载流能力与低发热。
- 车载电源管理 – 适用于 12V/24V 电气系统,耐受负载突变与电压浪涌,提供可靠保护。
- 电池保护板 / BMS – 在过流或短路时快速断开主回路,配合毫欧级内阻减少能量损耗。
- 服务器电源 / 通信电源 – 高功率密度设计中,作为主开关管或 OR-ing 管,降低热失控风险。
- 储能逆变器 – 用于电池侧或母线侧开关,承载大电流并保持低温升,延长系统寿命。
- 电动工具/吸尘器 – 无刷电机驱动下,凭借低 RDS(on) 和 SGT 特性,实现平稳调速与持久续航。一句话总结:RBA80N04DANS-4UB03#HB0-VB 不止是一颗 MOS 管,它是大电流、低损耗电源设计的“核心开关利器”,用毫欧级内阻释放系统全性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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