NVMFS5C450NWFT3G-VB - VBsemi MOS管制造商

NVMFS5C450NWFT3G-VB 产品详细

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还在为大电流低压转换效率低、发热严重而头疼？VBsemi NVMFS5C450NWFT3G-VB 来解忧！这颗 DFN8(5X6) 封装的 N-MOS 管，采用先进 SGT 工艺，导通内阻低至 1.09mΩ（@10V），可承受 150A 连续漏极电流，堪称低压大电流场景的“能量之门”。40V 耐压覆盖各类电源系统，超低损耗配合紧凑封装，为高密度电源设计提供极致性能。

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VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		3V	150A		1.5(mΩ)	1.09(mΩ)	SGT

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		3V	150A		SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	40V		3V	150A		SGT

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

产品参数
耐压等级：40V（余量充足，稳定可靠）
驱动范围：±20V（兼容 4.5V/10V/12V 驱动）
开启门槛：3V（逻辑电平友好，驱动设计灵活）
超低内阻：1.09mΩ @ 10V（传导损耗极低）
1.5mΩ @ 4.5V（低压驱动同样出色）
大电流能力：150A（极强过流承载能力）
封装：DFN8(5X6)（低热阻，适合高功率密度设计）
技术：SGT（屏蔽栅沟槽，开关损耗与导通损耗双优）

领域和模块应用：

领域和模块应用 —— 高性能低压功率转换首选
同步整流：服务器电源、通信电源，效率提升显著
电机驱动：电动工具、无人机、机器人，大电流输出游刃有余
电池保护：动力电池、储能系统，快速切断故障电流
DC-DC 转换：车载降压、模块电源，小型化高效率
负载开关：热插拔、电源管理，低导通压降减少发热
汽车电子：车灯、车身控制，抗冲击、宽温域可靠运行NVMFS5C450NWFT3G-VB —— 超低内阻，大电流无忧，让您的功率设计更从容！

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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