推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

NVMFS5C460NLWFET1G-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
NVMFS5C460NLWFET1G-VB 是一款面向低压大功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,采用先进的 SGT 工艺,在低导通电阻与快速开关能力之间实现出色平衡。DFN8(5X6) 封装兼具良好的散热特性与紧凑的占板面积,适用于高密度电源系统。30V 耐压、50A 连续电流能力、4mΩ 超低导通电阻的组合,使其成为低压大电流应用中的高性价比优选器件。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 50A 6.4(mΩ) 4(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 50A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 50A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
产品参数
(选型决策要点)
VDS=30V:适配 5V/12V/24V 电源系统,为开关尖峰预留充足电压裕量,提升系统可靠性。
VGS=±20V:兼容 1.8V~12V 逻辑电平,可直接由 MCU/PMIC 驱动,简化外围电路设计。
Vth=1.7V(典型):低压驱动下即可有效开启,适配电池电压波动场景,保障充分导通。
RDS(on)=4mΩ @ VGS=10V,6.4mΩ @ VGS=4.5V:超低导通电阻显著降低导通损耗,支持大电流持续输出,减少热积累。
ID=50A:连续电流余量充裕,可满足电机、电源等大功率负载的峰值与持续电流需求。
封装 DFN8(5X6):低寄生电感、优异热阻特性,利于高频开关和高效散热,节省 PCB 空间。
技术 SGT:屏蔽栅沟槽结构优化电荷平衡,降低开关损耗与米勒效应,提升抗 dv/dt 能力。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
大电流 DC-DC 转换器:同步整流低压侧应用,替代传统 MOSFET,重载效率可提升 2~3%,降低温升。
电机驱动模块:50A 电流能力与低 RDS(on) 支持高倍率 PWM 驱动,电机运行平稳,驱动器发热显著降低。
电池保护与电源管理:快速开关与低内阻特性确保过流/短路时可靠关断,减少保护板自耗电。
车载低压功率系统:30V 耐压配合宽安全工作区,适配 12V 车载总线及启停系统,可靠性高。
服务器/通信电源:高功率密度设计需求下,DFN8 封装与低导通损耗助力模块小型化。
电动工具与手持设备:大电流输出能力满足瞬态高负载要求,延长电池续航,增强工具动力。
储能与充电设备:高效能量转换减少热损耗,支持更高充电/放电倍率,提升系统整体性能。选型总结:NVMFS5C460NLWFET1G-VB 以超低导通电阻、50A 大电流能力和 SGT 技术为核心优势,在低压大功率开关领域提供卓越的损耗表现与热管理空间,是 30V 级大电流应用的理想选择,尤其适用于对效率、功率密度和可靠性有严格要求的电源、电机及车载系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

QQ咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询