MCAC8D0N10Y-TP-VB - VBsemi MOS管制造商

MCAC8D0N10Y-TP-VB 产品详细

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产品简介：

产品简介
MCAC8D0N10Y-TP-VB 是高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 DFN8(5X6) 紧凑封装，在节省板级空间的同时实现大电流输出。器件耐压 100V，持续漏极电流高达 75A，配合 SGT 先进工艺，导通电阻低至 7.4mΩ（10V 驱动），显著降低导通损耗，适合高效率、高功率密度应用。±20V 宽栅极驱动范围，使驱动设计更加灵活可靠。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	75A			7.4(mΩ)	SGT

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	75A		SGT

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	100V		2.5V	75A		SGT

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
DFN8(5X6)	Single-N

产品参数
耐压：100V
驱动电压：±20V
开启阈值：2.5V
导通电阻（10V 驱动）：7.4 mΩ
最大电流：75A
封装：DFN8(5X6)
技术：SGT

领域和模块应用：

领域和模块应用
DC-DC 转换器 → 同步整流，效率高、温升低
电动工具与电机驱动 → 大电流输出，启动有力，调速平稳
锂电池保护板 → 高耐压、低内阻，安全切断更可靠
服务器电源与通信电源 → 高功率密度，散热性能优异
车载电子与辅助电源 → 抗冲击、耐振动，适应严苛环境
充电桩与储能系统 → 大功率开关，通态损耗小，长期稳定

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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