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SIR512DP-T1-BE3-VB 产品详细

产品简介:

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SIR512DP-T1-BE3-VB 是一款面向中大功率开关场景深度优化的 Single N-MOS,采用 SGT 工艺,兼具超低导通电阻与优异开关特性,DFN8(5X6) 封装在散热性能与占板面积之间取得理想平衡。100V 耐压、180A 载流能力、3.45mΩ 导通电阻的组合,使其成为服务器电源、工业控制及车载系统中替代传统 TO-263 或 D2PAK 封装器件的紧凑高效选型,尤其适合高功率密度、高可靠要求的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.5V 180A 3.45(mΩ) SGT
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.5V 180A SGT
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 1.5V 180A SGT
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
DFN8(5X6) Single-N
产品参数
(选型决策要点)
VDS=100V:适配 48V/60V/72V 乃至 100V 级系统,为感性负载和开关瞬态留足电压裕量,显著降低雪崩击穿风险。
VGS=±20V:兼容 5V~12V 逻辑电平,可直连控制器/PWM 驱动器,简化栅极驱动设计,提升系统抗干扰能力。
Vth=1.5V(典型):阈值电压低且一致性良好,保障低压驱动下充分导通,并支持较宽的栅极电压工作范围。
RDS(on)=3.45mΩ @ VGS=10V:超低导通电阻,满载导通损耗极低,有效降低温升,可缩减散热器尺寸或提升功率密度。
ID=180A:超大连续电流余量,可从容应对电机启动、短路瞬态及冲击性负载的峰值电流需求。
封装 DFN8(5X6):低寄生电感、低热阻,支持高频开关,同时节省 PCB 面积,适合紧凑型大电流功率级设计。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
服务器与通信电源:超低内阻显著提升同步整流和功率因数校正级效率,减少散热成本,支撑高功率密度模块。
电动工具与园林机械:大电流能力匹配无刷电机峰值功率,低导通损耗延长电池续航,耐压裕量应对反电动势冲击。
车载 DC-DC 转换器:100V 耐压适配 12V/24V/48V 车载总线,SGT 工艺提供快速开关,助力轻量化与高效化。
电池保护与储能系统:180A 连续电流覆盖大容量锂电保护和储能变流器应用,微秒级关断能力保障系统安全。
工业电机驱动:低开关损耗与低导通损耗兼得,提高 PWM 调速效率,降低控制器温升,提升可靠性。
大功率 DC-DC 模块:在高达几百瓦的输出级中替代多管并联方案,简化电路布局,降低器件数量和系统成本。
UPS 与逆变器:优异的耐压和电流能力满足不间断电源及光伏逆变器的高频母线开关需求,提升整机效率。选型总结:SIR512DP-T1-BE3-VB 在超高电流、超低导通电阻、100V 耐压与紧凑 DFN8(5X6) 封装之间实现了出色平衡,是中大功率开关应用的高性能通用选择,特别适合对效率、功率密度和热管理有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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