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IRF9952TRPBFXTMA1-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
IRF9952TRPBFXTMA1-VB 是一款面向低压功率开关与半桥驱动场景深度优化的 Dual N+P 互补 MOSFET,采用 Trench 工艺,兼具低开关损耗与高可靠性。SOP8 封装在散热性能与占板面积之间取得良好平衡。±30V 耐压、±8A 载流能力、N 沟道 18mΩ / P 沟道 40mΩ 导通电阻的组合,使其成为低压 Buck/Boost 转换、同步整流及电机驱动等应用的理想选型,尤其适合高密度、大批量设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A 24/50(mΩ) 18/40(mΩ) Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-N+P ±30V 1.6/-1.7V ±8A Trench
VB Package Polarity Vz / VR Pd VF IF IR Cd Type
SOP8 Dual-N+P
产品参数
(选型决策要点)
- VDS=±30V:适配 5V/12V/24V 系统,正负耐压对称设计,满足 N+P 互补拓扑对反向电压裕量的需求,降低雪崩击穿风险。
- VGS=±20V:兼容 1.8V~12V 逻辑电平,可直连 MCU/PMIC,省去电平转换电路,简化驱动设计。
- Vth=1.6V / -1.7V(典型):N/P 通道阈值匹配良好,低压驱动时仍能充分导通,适合电池电压衰减及低电压轨场景。
- RDS(on)=18mΩ / 40mΩ @ VGS=10V:N 沟道超低导通电阻显著降低满载温升,P 沟道对称优化,减少半桥电路导通损耗。
- RDS(on)=24mΩ / 50mΩ @ VGS=4.5V:低压驱动下仍保持低阻特性,支持 3.3V/5V 逻辑直接驱动。
- ID=±8A:正负向电流容量充裕,可应对多数便携、通信及车载辅助负载的峰值需求。
- 封装 SOP8:双管集成节省 PCB 面积,寄生参数低,支持高频开关,同时便于自动化贴装。

领域和模块应用:


领域和模块应用
(决策价值分析)
- 同步 Buck 转换器:N+P 互补结构适合高边 P-MOS 与低边 N-MOS 组合,简化驱动电路,重载效率可提升 2~3%,利于模块小型化。
- 半桥 / 全桥驱动器:N/P 配对阈值与内阻匹配,减少交越失真,PWM 开关损耗低,电机运转更平滑,控制器温升明显下降。
- 电池保护与电源路径管理:低内阻减少保护板自发热,正负双向导通能力实现充电/放电双路控制,响应快速可靠。
- 便携式设备电源管理:低导通压降提升升降压效率,延长续航,SOP8 双管集成助力超薄设计。
- LED 照明驱动:低导通电阻减少恒流源功耗,支持多路并联,提升整灯光效。
- 低压电机驱动:适合 5V/12V 直流有刷或无刷电机,PWM 开关损耗低,耐用性强。
- DC-DC 模块电源:在同步整流、有源钳位等拓扑中替代分离器件,降低物料成本与占板空间。选型总结:IRF9952TRPBFXTMA1-VB 在双通道性能匹配、封装集成度和系统成本之间实现均衡,是 30V 级 N+P 互补开关应用的高性价比通用选择,特别适合对空间、热耗及驱动简化有严格要求的项目。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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