HAT1038RJ-EL-VB - VBsemi MOS管制造商

HAT1038RJ-EL-VB 产品详细

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VBsemi HAT1038RJ-EL-VB 是一款采用 Trench 工艺的双 P 沟道场效应管，专为中低压电力转换与负载开关场景设计。其 SOP8 封装在有限空间内集成两颗独立的 P 沟道 MOS，兼顾散热性能与布线灵活性，适用于高密度 PCB 布局。器件在 -60V 漏源电压范围内提供稳定开关特性，门极驱动兼容常见 4.5V/10V 逻辑电平，便于系统集成与 PWM 控制。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-P+P	-60V		-1.9V	-4A		145(mΩ)	120(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-P+P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-P+P	-60V		-1.9V	-4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-P+P	-60V		-1.9V	-4A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Dual-P+P

产品参数
- 漏极-源极电压（VDS）：-60V
- 门极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：典型值 -1.9V
- 导通电阻（VGS=4.5V）：145mΩ（典型）
- 导通电阻（VGS=10V）：120mΩ（典型）
- 最大漏极电流（ID）：-4A
- 封装形式：SOP8
- 配置：双 P 沟道（Dual-P+P）
- 工艺技术：Trench

领域和模块应用：

领域和模块应用
1. 负载开关：用于系统电源轨的通断控制，双通道设计可独立切换两路负载，节省板级空间并降低功耗。
2. 电池保护与电源管理：在便携设备、备用电源中作为充放电回路开关，配合保护 IC 实现过流、过压快速关断，保障电池安全。
3. DC-DC 转换器：用于同步整流或辅助开关，降低整流损耗，适配 Buck/Boost 小型化设计。
4. 电机驱动：驱动小型直流无刷或有刷电机，适用于风扇、泵类及玩具执行器，支持 PWM 调速。
5. 信号调理与模拟开关：利用低导通电阻与双通道特性，用于音频信号切换、采样保持电路或精密测量前端。
6. 消费电子控制单元：集成于智能插座、USB 通断电路，实现负载接入检测与功率分配。
7. 车载辅助电源：在 12V 车载网络中为信息娱乐、传感器等辅助负载提供稳压供电或反接保护。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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