DI9400T-VB - VBsemi MOS管制造商

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DI9400T-VB 是高性能的单 P 沟道 MOS 管，SOP8 封装，-30V 耐压，-5.8A 载流能力。采用 Trench 工艺，导通电阻低至 33mΩ（10V 驱动），有效降低导通损耗，发热小、效率高。栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种低压控制电路，适用于电源管理、负载开关及电机驱动等场景。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-5.8A		56(mΩ)	33(mΩ)	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-5.8A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-5.8A		Trench

VB Package	Polarity	Vz / VR	Pd	VF	IF	IR	Cd	Type
SOP8	Single-P

产品参数
耐压：-30V
驱动电压：±20V
开启阈值：-1.7V
导通电阻（4.5V 驱动）：56 mΩ
导通电阻（10V 驱动）：33 mΩ
最大电流：-5.8A
封装：SOP8
技术：Trench

领域和模块应用：

领域和模块应用
电源管理电路 → 负载开关、反接保护，安全可靠
电池充放电保护 → 精准切断，延长电池使用寿命
DC-DC 转换器 → 同步整流，提升转换效率
电机驱动模块 → 调速线性，响应迅速
智能家居控制 → 通断干脆，低热损耗
工业控制接口 → 抗干扰强，稳定耐用
便携式设备供电 → 小体积，大电流，节省空间

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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